電動車向けSiパワー半導体素子の開発
- デバイス開発エンジニアパワーデバイスプロセス技術研究者
- 愛知県
- 年収300万円未満年収300万~500万円年収500万~700万円
- 提供元:株式会社デンソー
- 掲載日:2025年10月16日
求人AIによる要約
電動車向けSiパワー半導体素子の開発に携わるパワーデバイス技術部では、カーボンニュートラルを目指し、革新的な製品を企画・提供しています。特に第1・第2開発室では、SiおよびSiC半導体の開発を行い、技術ニーズや動向を調査し、車載用Si-IGBTの仕様検討からシミュレーション、評価まで幅広く関与します。フラットな組織文化の中で、多様な専門家と連携し、環境課題の解決にも貢献できる魅力的な職場です。
【おすすめポイント】
・Siパワー半導体デバイス開発におけるスキル向上が可能。
・多様な専門知識を持つチームとの密接な連携。
・社会課題解決に貢献できるやりがいのある仕事。
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
プロセス技術研究者
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュートラルを実現するため魅力ある商品を企画し提供しています。その中で、私たち第1、第2開発室では、世界中に高品質なパワー半導体をお届けするべくSi, SiCパワー半導体素子の企画、開発、設計、製品化をミッションに取り組んでおり、社内外から高い期待が寄せられています。年齢や役職に関係なくフラットに議論・相談を行うオープンなカルチャーのある組織です。【】電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子(Si-IGBT)の企画/開発/設計業務具体的には、以下の業務に携わっていただきます。◆車載用Si-IGBTの製品企画/仕様検討 ・技術ニーズ調査 ・技術動向調査 ・目標仕様調整および設計◆車載用Si-IGBT素子開発・設計 ・プロセス/デバイスシミュレーション ・構造検討およびレイアウト設計 ・プロセスインテグレーション、プロセス加工技術 ・素子試作評価、分析解析 ・素子検査、評価と素子開発品へのフィードバック【業務のやりがい・魅力】・Siパワー半導体デバイス開発に関するスキルアップができます。特に、試作ラインを用いて、机上だけでは培うことのできないモノづくりに触れ、ウェハ試作や特性評価の実施が可能です。・素子開発にとどまらず、パワーモジュール開発部署と密接に連携しながら開発を進めるため、様々な専門知識を持つ方たちと一気通貫で多岐にわたる業務を経験できます。・魅力ある素子を企画し、世界中に高品質なパワー半導体を提供することで、地球温暖化の抑制という社会課題解決に貢献しているやりがいを感じることができます。【関連リンク】https://www.denso.com/jp/ja/driven-base/tech-design/power-semiconductor/
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