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2025年10月24日更新

住友電工デバイス・イノベーション

光デバイス製造技術 【横浜/山梨】化合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術

  • ウェハ材料前工程プロセス開発成膜装置
  • 神奈川県 山梨県
  • 年収500万～700万円年収700万～1000万円その他
  • 提供元：住友電工デバイス・イノベーション
  • 掲載日：2025年08月29日
求人AIによる要約

半導体業界における光デバイス製造技術の最前線で活躍するチャンスです。化合物半導体エピタキシャル結晶成長に特化した製造技術を担当し、高精度な製造プロセスを支える役割を担います。専門的なスキルを活かし、業界の競争力を強化することが求められます。技術者としての成長と共に、革新的な技術の発展に寄与する機会を通じて、光デバイスの未来を切り拓く重要なプロジェクトに参加しましょう。

【おすすめポイント】
・化合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する専門的な知識を活用
・高精度な製造技術に携わることでスキル向上が期待される
・業界の革新に寄与する重要な役割を果たす機会がある

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OUTLINE

ウェハ材料

前工程プロセス開発

成膜装置

・化合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術担当
・新製品、新規プロセス技術などの研究・開発業務は対象外

＜必須要件＞
・募集職種に対して３年以上の実務経験があり、かつ、直近１年間以上の他業務等での空白期間がないこと。
・MOVPE装置を使用した化合物半導体エピタキシャル成長技術および関連する半導体プロセス技術に関するスキルをお持ちの方。

＜語学力＞
TOEIC 600点以上、または同等の英会話能力のある方歓迎。

横浜本社/山梨事業所

■給与：経験、能力等を考慮し、当社規定により支給いたします。
　想定年収：500万円～800万円
　月給　　：28万円～40万円

■勤務時間
　8：30～17：15
　（フレックスタイム制あり 標準労働時間：7時間45分）
　※コアタイムは11:00から14:00

■休日・休暇
　年間休日120日以上、完全週休2日制、年末年始休暇
　年次有給休暇20日（翌年繰越は最高20日）
　積立休暇
　リフレッシュ休暇、5日連続有給休暇、特別休暇（慶弔休暇など）
　計画有休制度（個人計画有休5日）、半日有給休暇、時間単位有給休暇ほか
　※初年度は入社月により異なります。

■福利厚生
　企業年金制度、持株会(住友電気工業株式会社)、財形貯蓄制度(一般、住宅、年金)

COMPANY

会社名：住友電工デバイス・イノベーション
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