D3【第二新卒/兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア（GaN/SiC）
- パワーデバイス前工程プロセス開発材料開発エンジニア
- 兵庫県
- 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
- 提供元：東芝デバイス＆ストレージ
- 掲載日：2025年08月29日
求人AIによる要約
化合物半導体のプロセス開発エンジニアを募集！特にGaNパワーデバイス事業において、製品・プロセス・材料の開発をリードし、次世代SiCデバイスの設計やプロセスインテグレーションにも携わります。トレンチMOSFETやSJ-MOSなどの革新的なデバイスを手掛け、高性能なウェーハ製造技術を進化させるチャンスが待っています。新しい技術に挑戦し、業界を牽引する充実した職務です。あなたの技術が未来を変えるその一歩を踏み出しませんか？
【おすすめポイント】
・GaN/SiCデバイスの開発で業界最前線に立つチャンス
・トレンチMOSFETやSJ-MOS等の次世代技術に関与
・革新的な製品開発に携わり、キャリアを進化させる可能性
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OUTLINE
パワーデバイス
前工程プロセス開発
材料開発エンジニア
その中でGaNパワーデバイス事業では、早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引する人材を求めています。
また、次世代SiCデバイス(トレンチMOSFET,SJ-MOS等)のデバイス設計、プロセスインテグレーション、ユニットプロセス開発、SiCデバイスの大口径化に適したウェーハ製造(エピタキシャル成長)プロセス・装置の開発を担当する人材を募集しております。
【必須】
・学生時代の専攻が材料工学、電気電子、化学などものづくりに取り組まれた方
・学生時代の専攻が材料工学、電気電子、化学などものづくりに取り組まれた方
671-1595 兵庫県揖保郡太子町鵤３００ 東芝デバイス＆ストレージ株式会社 姫路半導体工場
年収 450万円 〜 1200万円
８：００～１６：４５（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日
寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり
COMPANY
会社名：東芝デバイス＆ストレージ
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