D3【神奈川】化合物半導体の製品開発エンジニア（GaNパワー）

Smart Overview

弊社では、次世代のGaNパワー半導体の研究開発を推進しています。最先端の技術に触れながら、デバイス開発やプロセスインテグレーションに携わるチャンスがあります。株式会社東芝の研究開発センターや各拠点との連携を通じて、化合物半導体の可能性を広げ、新たな市場を切り開く仲間を求めています。挑戦心を持ち、革新に情熱を注ぐ方の応募を心よりお待ちしております。

【おすすめポイント】
・最先端のGaNパワー半導体技術に関与
・株式会社東芝との連携による豊富なリソース
・デバイス開発からプロセスインテグレーションまで多彩な経験を積むチャンス

募集職種

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

前工程プロセス開発

仕事内容

弊社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しております。
株式会社東芝の研究開発センターや、各拠点、各部署と連携しながら、半導体エンジニアとして最先端の技術領域に取り組まれたい方に是非ご応募をいただけますと幸いです。
川崎：デバイス開発とプロセスインテグレーション
姫路：エピタキシャルプロセス、プロセス開発

求めている人材

【尚可】
・GaNに関する知見

勤務地

212-8583  神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地

給与

年収 450万円 〜 1200万円

勤務時間

８：３０～１７：１５（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり

休日休暇

年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日

福利厚生

寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり

会社概要

東芝デバイス＆ストレージ