D1【石川】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア
- デバイス開発エンジニアパワーデバイス製品評価エンジニア
- 石川県
- 年収300万~500万円年収500万~700万円年収700万~1000万円
- 提供元:東芝デバイス&ストレージ
- 掲載日:2025年08月29日
求人AIによる要約
ディスクリート半導体の製品開発エンジニアとして、最先端の技術を駆使し、IGBTやパワーMOSFET、アイソレーションデバイスの設計から量産立上まで幅広く携わるチャンスです。高性能なパワーモジュールや小信号デバイスを手掛けることで、電力効率を飛躍的に向上させる革新を実現。技術の進化に寄与し、業界の未来を形作るプロフェッショナルとしての成長が期待できる環境です。多様な勤務地での勤務が可能で、キャリアの広がりも魅力。
【おすすめポイント】
・最新技術を用いたデバイス設計と性能評価
・多様なデバイスと勤務地でのキャリアチャンス
・半導体業界の未来を担う重要な役割
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
製品評価エンジニア
ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する、
・デバイス設計・シミュレーション(TCAD)
・試作・性能評価・解析
・量産立上業務
対象デバイスは次のとおり
①IGBT、ダイオード、パワーモジュール(兵庫県揖保郡太子町/石川県能美市)
②アイソレーションデバイス・半導体リレー(福岡県豊前市)
③パワーMOSFET(石川県能美市)
④小信号デバイス。特にMOSFET(兵庫県揖保郡太子町)
⑤小信号デバイス。特に汎用小型IC(神奈川県川崎市) ※()内は想定勤務地
【尚可】
・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。
・TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方。
・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。
・TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方。
923-1293 石川県能美市岩内町1-1 東芝デバイス&ストレージ株式会社 加賀分室
年収 450万円 〜 1200万円
8:15~17:00(休憩1時間、所定労働時間7時間45分)
※平均残業時間:20h程度
※会社/事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
※平均残業時間:20h程度
※会社/事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
年間休日127日(2023年度)、週休2日制(土・日)、祝日、年末年始、特別休日
寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり
COMPANY
会社名:東芝デバイス&ストレージ
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