D3【兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア（GaN/SiC）
- パワーデバイス前工程プロセス開発材料開発エンジニア
- 兵庫県
- 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
- 提供元：東芝デバイス＆ストレージ
- 掲載日：2025年08月29日
求人AIによる要約
半導体業界におけるキャリアアップのチャンス！化合物半導体分野のプロセス開発エンジニアを募集しています。GaNパワーデバイス事業の拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発をリードするポジションです。また、次世代SiCデバイスに関するデバイス設計やプロセスインテグレーション、エピタキシャル成長プロセスの開発にも取り組むことができ、技術力を高めながらキャリアを築く絶好の機会です。最先端の技術に関わり、自らの成長を実感しませんか？
【おすすめポイント】
・GaN/SiC技術におけるプロフェッショナルとしてのスキルを磨けます。
・次世代デバイス開発に直接関与し、業界に貢献するチャンスがあります。
・成長著しい企業で、早期立ち上げプロジェクトに参加することができます。
この求人に応募する
※提供元サイトへリンクします
OUTLINE
パワーデバイス
前工程プロセス開発
材料開発エンジニア
その中でGaNパワーデバイス事業では、早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引する人材を求めています。
また、次世代SiCデバイス(トレンチMOSFET,SJ-MOS等)のデバイス設計、プロセスインテグレーション、ユニットプロセス開発、SiCデバイスの大口径化に適したウェーハ製造(エピタキシャル成長)プロセス・装置の開発を担当する人材を募集しております。
【必須】
・半導体デバイスのプロセスインテグレーション、ユニットプロセス関連または、デバイス開発の実務経験をお持ちの方
・半導体デバイスのプロセスインテグレーション、ユニットプロセス関連または、デバイス開発の実務経験をお持ちの方
671-1595 兵庫県揖保郡太子町鵤３００ 東芝デバイス＆ストレージ株式会社 姫路半導体工場
年収 450万円 〜 1200万円
８：００～１６：４５（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日
寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり
COMPANY
会社名：東芝デバイス＆ストレージ
※提供元サイトへリンクします
当サイトの情報は、情報提供元から自動取得した内容を掲載しており、一部情報が最新でない可能性があります。最新の内容については、直接情報提供元でご確認ください。