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掲載日:
2025年8月29日
東芝デバイス&ストレージ
D2【兵庫】化合物半導体の製品開発エンジニア(SiC)
想定年収
年収700万~1000万円、年収500万~700万円、年収300万~500万円
勤務地
兵庫県
Smart Overview
【おすすめポイント】
・最先端のSiC技術に関わるデバイス設計
・パワーモジュール開発を通じた実践的な経験
・量産立上業務でのプロジェクト推進能力の向上
募集職種
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
生産技術エンジニア
仕事内容
・デバイス設計・シミュレーション(TCAD)
・パワーモジュール パッケージ開発
・試作・性能評価・解析
・量産立上業務
求めている人材
下記いずれかのご経験をお持ちの方
半導体デバイス設計/プロセス技術/パッケージ技術/材料開発
勤務地
給与
勤務時間
※平均残業時間:20h程度
※会社/事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり