株式会社デンソー
パワー半導体向けのSiCウエハ生産技術開発
Smart Overview
【おすすめポイント】
・生産技術開発の全過程に関与し、豊富な経験を得られる
・製品が顧客や社会の課題解決に寄与する実感を得られる
・専門家との連携を通してスキルアップが可能
募集職種
ウェハ材料
パワーデバイス
生産技術エンジニア
仕事内容
【組織ミッション】SiCプロジェクト室は24年4月に新たに発足した部署であり、パワー半導体SiCに関わる生産技術開発を進めています。開発から製造まで、様々な経験を積まれた方が集約した組織です。【】パワー半導体SiCウエハ加工に関わる生産技術開発・パワー半導体関連のベンチマーク調査分析・SiCに関わる生産技術(スライス加工、研削、CMP)の開発・実験・評価・工程設計・SiCに関わる設備の設置・生産準備※開発の状況に応じて、将来的には本社（愛知県刈谷市）・先端研究所（愛知県日進市）・大安製作所（三重県いなべ市）への転勤の可能性もございます。【業務のやりがい・魅力】✓ 要素技術開発から製品、設備、工程設計までの一気通貫で多岐な業務を経験できます✓ 自分の作ったものが顧客・社会課題解決に貢献しているというやりがいが感じられます✓ システム、素子設計部署との連携を通じて、半導体分野の幅広い知識、技術のスキルアップができます✓ 国内外の拠点を活用したグローバルな事業を牽引することができます✓ 社内外の専門家との連携を通じて、自身の専門性を向上させることができます下記URLもぜひご確認ください。■DRIVEN BASEhttps://www.denso.com/jp/ja/driven-base/tech-design/power-semiconductor/■半導体戦略説明会資料https://www.denso.com/jp/ja/-/media/global/about-us/investors/business-briefing/20220601_semicon_material_jp.pdf■「半導体の供給確保計画」が経済産業省より認定https://www.denso.com/jp/ja/news/newsroom/2024/20241129-01/
求めている人材
勤務地
給与
※経験・年齢を考慮して決定致します。
＜直近の初任給実績＞
大卒・高専卒（専攻科）／月給27万5000円
修士了／月給30万0000円
博士卒／月給33万4000円
＜年収例＞
29歳（大卒入社7年目）650万円（残業代含まず）
32歳（大卒入社10年目）750万円（残業代含まず）
35歳（大卒入社13年目）850万円（残業代含まず）
40歳（大卒入社18年目）1320万円※マネジメント職の場合
勤務時間
コアタイム10時10分から14時25分（東京エリア 10時30分から14時45分、製作所 10時10分から15時25分）
※管理職については労働基準法第41条2号により労働基準法上の労働時間、休憩、休日に関する適用を受けないものとします。
休日休暇
GW・夏季・年末年始各10日程
年間休日121日
年次有給休暇、やすらぎ休暇、リフレッシュ休暇、子の看護休暇、介護休暇、ボランティア休暇など
福利厚生
個別制度/財形貯蓄、株式インセンティブ制度、団体保険、退職金・年金制度など
施設/保養所、研修センター、各種文化・体育施設、託児施設（愛知・三重）、食堂（本社、各製作所）など