電動車向けインバータ用パワー半導体のデバイスおよびプロセス研究開発
- デバイス開発エンジニアパワーデバイスプロセス技術研究者
- 愛知県
- 年収300万円未満年収300万～500万円年収500万～700万円
- 提供元：株式会社デンソー
- 掲載日：2025年08月29日
求人AIによる要約
電動車向けインバータ用パワー半導体（SiC-MOSFET）の研究開発のポジションです。デバイス設計やプロセス加工技術の開発を通じて、電動車の次世代技術を推進します。具体的には、パワーデバイスの企画、構造設計、シミュレーションや試作品の評価を行い、業界の最新動向を踏まえた技術革新を追求します。あなたの知識と経験を活かし、持続可能な未来に貢献できるチャンスです。
【おすすめポイント】
・次世代電動車技術に貢献できるやりがいのあるプロジェクト
・幅広いデバイス設計技術を磨くことができる環境
・業界の最新トレンドを学び、専門性を高めるチャンス
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
プロセス技術研究者
電動車向けインバータ用パワー半導体（SiCーMOSFET）のデバイス設計やデバイスのプロセス加工技術の研究開発及び試作品評価・パワーデバイスの企画、構造設計、レイアウト設計・パワーデバイス及びプロセスシミュレーション設計、技術動向調査・パワーデバイスのプロセスインテグレーションおよびプロセス加工技術の開発・パワーデバイスの構造、プロセス加工技術の要素技術開発・試作品の評価、分析、解析
＜MUST要件＞・半導体に関する知識を有すること ・半導体デバイスの設計、評価、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験 （研究開発、量産経験は問いません）＜WANT要件＞・パワー半導体に関する知識を有すること ・半導体デバイス設計、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験（3年以上）・プロジェクトマネージャ、リーダまたはサブリーダの経験者
愛知 ＞広瀬製作所（愛知県豊田市）
COMPANY
会社名：株式会社デンソー
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