掲載中
応募受付中
掲載日:
2024年12月9日
株式会社Power Diamond Systems
【半導体デバイス開発エンジニア】早稲田大学研究シーズ発のスタートアップ
想定年収
年収1000万円以上、年収700万~1000万円
勤務地
福岡県、東京都
募集職種
その他
デバイス開発エンジニア
前工程プロセス開発
仕事内容
世界トップクラスのデータを出しているダイヤモンド半導体デバイス開発を主導いただきます。半導体デバイス単体の開発だけでなく、パワーアンプの設計等アプリケーション側の検討もしていただきます。<このポジションの魅力>■早稲田大学が保有する半導体プロセス設備を最大限活用し大きな裁量権をもち、世界最先端のダイヤモンド半導体デバイスの研究開発に没頭できます。■22年8月創業で未だ5名に満たない人員のため、半導体研究開発の経験を活かしながら、スタートアップの創業期でしか味わえないゼロイチで事業を作り上げていく貴重な経験を積むことができます。
求めている人材
■半導体やMEMS等の微細加工プロセスを伴うデバイスの開発経験
■英語の論文(読解)への理解
【歓迎】
■化合物デバイス開発経験(デバイスの設計・評価・回路設計・マスク設計等)
■英語の論文(記述)スキル保有者
【当社のビジョン】-究極の半導体材料"ダイヤモンド"とともに一歩先の未来へ ~Diamond Opens The Future Electronics~
勤務地
北九州R&Dセンター(福岡県北九州市若松区)、本社(東京都新宿区)
[転勤]無
給与
[想定年収]700万円~1000万円
[賃金形態]年俸制 [分割回数]12回
勤務時間
[所定労働時間]8時間0分 [休憩]45分
[フレックスタイム制]有[コアタイム]有 00:00~00:00
休日休暇
[年間休日]110日 内訳:土日祝 その他(祝日・夏季/年末年始/慶弔休暇)
[有給休暇]入社半年経過後10日~ 年次有給休暇あり
福利厚生
[退職金]無[社会保険]健保 厚生年金 雇用 労災
[寮社宅]無