設計職（IGBT、SiC-MOS、高圧IC半導体デバイス、回路、プロセス設計）
- その他パワーデバイスプロセス技術研究者
- 東京都
- 年収300万円未満年収300万～500万円年収500万～700万円
- 提供元：ミネベアパワーデバイス
- 掲載日：2025年08月05日
求人AIによる要約
設計職では、IGBT、SiC-MOS、高圧IC半導体デバイスの設計・開発に携わるチャンスがあります。具体的には、パワーMOSやアナログIC、ディスクリート製品の設計を行い、チップデバイスのプロセスや回路設計、テスト仕様の立上げまでを担当。パワーモジュールの構造を理解し、各種シミュレーションを通じた性能向上を図ります。また、ターゲットスペックに基づいた顧客向けのPR資料を作成し、直接顧客と打ち合わせを行うことも求められます。高度な技術力を活かし、半導体業界での成長を実現するこの職種で新たなキャリアを築きましょう。
【おすすめポイント】
・最先端の半導体デバイス設計に携われる
・顧客と直接関わるプロジェクトマネジメントスキルが磨ける
・シミュレーションを通じた技術革新の最前線に立てる
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OUTLINE
その他
パワーデバイス
プロセス技術研究者
設計職（IGBT、SiC-MOS、高圧IC半導体デバイス、回路、プロセス設計）
パワーMOS、アナログIC、ディスクリート製品設計
チップデバイス、プロセス、アナログ・デジタル回路設計、マスクデータ、チップテスト仕様作成・立上
パワーモジュール構造、プロセス設計、各種シミュレーション
ターゲットスペック、顧客PR、アプリケーション資料作成、顧客打合せ対応
<必須となる資格・スキル・経験>
GBT、SiC-MOS、高圧IC、ディスクリート製品設計経験
デバイス、プロセス設計、アナログ・デジタル回路設計、量産展開経験
シミュレーションを用いたデバイス、モジュールの構造とプロセス設計経験者（電界、拡散、応力、熱解析）
ゲートドライバ設計経験
プロセス各工程の設計経験、デバイス・回路の電気的特性評価経験
各種半導体デバイスのテスト設計経験、量産テスタ立上経験
顧客向け資料作成、顧客との各種交渉経験
TOEIC500点以上が望ましい
GBT、SiC-MOS、高圧IC、ディスクリート製品設計経験
デバイス、プロセス設計、アナログ・デジタル回路設計、量産展開経験
シミュレーションを用いたデバイス、モジュールの構造とプロセス設計経験者（電界、拡散、応力、熱解析）
ゲートドライバ設計経験
プロセス各工程の設計経験、デバイス・回路の電気的特性評価経験
各種半導体デバイスのテスト設計経験、量産テスタ立上経験
顧客向け資料作成、顧客との各種交渉経験
TOEIC500点以上が望ましい
東京都港区
COMPANY
会社名：ミネベアパワーデバイス
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