設計職（IGBT、SiC-MOS、高圧IC半導体デバイス、回路、プロセス設計）
- その他デバイス開発エンジニアパワーデバイス
- 東京都
- 年収300万円未満年収300万～500万円年収500万～700万円
- 提供元：ミネベアパワーデバイス
- 掲載日：2025年08月05日
求人AIによる要約
設計職では、IGBTやSiC-MOS、高圧IC半導体デバイスの設計を通じて、最新技術の最前線で活躍するチャンスがあります。パワーMOS、アナログIC、ディスクリート製品設計に携わり、具体的なプロセスの設計や各種シミュレーションを行います。また、チップデバイスやアナログ・デジタル回路設計、マスクデータの生成、さらにはチップテスト仕様の作成にも挑戦できます。顧客ニーズに応じたターゲットスペックやアプリケーション資料の作成、打合せ対応も含まれ、幅広いスキルを磨くことができる環境です。この魅力的な職務での成長と挑戦に、ぜひご応募ください。
【おすすめポイント】
・最先端技術のIGBTやSiC-MOSに直接関与できる
・幅広い設計スキルが身につく多様な業務内容
・顧客との対話を通じてリアルな市場ニーズを体感できる
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OUTLINE
その他
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
設計職（IGBT、SiC-MOS、高圧IC半導体デバイス、回路、プロセス設計）
パワーMOS、アナログIC、ディスクリート製品設計
チップデバイス、プロセス、アナログ・デジタル回路設計、マスクデータ、チップテスト仕様作成・立上
パワーモジュール構造、プロセス設計、各種シミュレーション
ターゲットスペック、顧客PR、アプリケーション資料作成、顧客打合せ対応
<必須となる資格・スキル・経験>
GBT、SiC-MOS、高圧IC、ディスクリート製品設計経験
デバイス、プロセス設計、アナログ・デジタル回路設計、量産展開経験
シミュレーションを用いたデバイス、モジュールの構造とプロセス設計経験者（電界、拡散、応力、熱解析）
ゲートドライバ設計経験
プロセス各工程の設計経験、デバイス・回路の電気的特性評価経験
各種半導体デバイスのテスト設計経験、量産テスタ立上経験
顧客向け資料作成、顧客との各種交渉経験
TOEIC500点以上が望ましい
GBT、SiC-MOS、高圧IC、ディスクリート製品設計経験
デバイス、プロセス設計、アナログ・デジタル回路設計、量産展開経験
シミュレーションを用いたデバイス、モジュールの構造とプロセス設計経験者（電界、拡散、応力、熱解析）
ゲートドライバ設計経験
プロセス各工程の設計経験、デバイス・回路の電気的特性評価経験
各種半導体デバイスのテスト設計経験、量産テスタ立上経験
顧客向け資料作成、顧客との各種交渉経験
TOEIC500点以上が望ましい
東京都港区
COMPANY
会社名：ミネベアパワーデバイス
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