【募集職種④】半導体プロセス要素エンジニア
- デバイス開発エンジニア前工程プロセス開発後工程プロセス開発
- 富山県
- 年収300万円未満年収300万～500万円年収500万～700万円
- 提供元：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
- 掲載日：2025年08月05日
求人AIによる要約
半導体プロセス要素エンジニアとして、最先端の技術開発に挑戦できる機会があります。45nmから1umまでのプロセス技術の中で、リソグラフィやドライエッチ、ウエットエッチなど多様な分野を担当し、半導体製品の品質向上に貢献します。革新を促進し、業界の進化に寄与するポジションで、専門知識を活かしながらスキルを伸ばすチャンスです。最先端の設備や技術に触れながら、キャリアの新たなステージを一緒に築いていきましょう。
【おすすめポイント】
・多様なプロセス技術に関わることで、幅広いスキルを習得可能
・最先端の半導体技術に携わり、業界の最前線で活躍できる
・革新を通じてキャリアアップを目指せる環境が整備されている
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
前工程プロセス開発
後工程プロセス開発
45nm～1umまで幅広い技術開発を実施。リソグラフィ、ドライエッチ、ウエットエッチ、炉・ＲＴＰ、炉・注入、ＬＰＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、ＰＶＤ、めっき、ＣＭＰのいずれかの技術開発を担当いただきます。
富山県魚津市東山800 または 富山県砺波市東開発271
給与形態：月給制 or 年俸制（給与改定サイクル：年１回）
勤務時間：８：３０～１７：１５（休憩４５分）
年間休日日数：127日（2024年実績） ／ 完全週休二日(土日)、祝日、夏季、年末年始、他
確定拠出年金制度あり／食堂・売店完備／制服貸与／各種有給休暇制度多数
COMPANY
会社名：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
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