【募集職種④】半導体プロセス要素エンジニア
- 前工程プロセス開発後工程プロセス開発成膜装置
- 富山県
- 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
- 提供元：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
- 掲載日：2025年08月01日
求人AIによる要約
半導体プロセス要素エンジニアとして、45nmから1µmまでの幅広い技術開発に携わるチャンスです。リソグラフィやドライエッチ、ウエットエッチ、炉プロセス（RTP、注入）など、先端技術を駆使し、新たな製品価値の創造に寄与します。業界の最前線で、革新的なプロジェクトに挑戦することで、スキルを高めながらキャリアを築ける環境が整っています。あなたの専門性を活かし、半導体業界の未来をともに切り開きましょう。
【おすすめポイント】
・最先端の半導体製造技術に直結する業務
・多様なプロセス技術への関与でスキルアップ
・業界の革新に貢献できる魅力的な職場環境
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OUTLINE
前工程プロセス開発
後工程プロセス開発
成膜装置
45nm～1umまで幅広い技術開発を実施。リソグラフィ、ドライエッチ、ウエットエッチ、炉・ＲＴＰ、炉・注入、ＬＰＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、ＰＶＤ、めっき、ＣＭＰのいずれかの技術開発を担当いただきます。
富山県魚津市東山800 または 富山県砺波市東開発271
給与形態：月給制 or 年俸制（給与改定サイクル：年１回）
勤務時間：８：３０～１７：１５（休憩４５分）
年間休日日数：127日（2024年実績） ／ 完全週休二日(土日)、祝日、夏季、年末年始、他
確定拠出年金制度あり／食堂・売店完備／制服貸与／各種有給休暇制度多数
COMPANY
会社名：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
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