【募集職種⑥】SiGe・Siphoデバイス開発エンジニア
- RF（高周波）IC設計デバイス開発エンジニア光電子デバイス
- 富山県
- 年収300万円未満年収300万～500万円年収500万～700万円
- 提供元：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
- 掲載日：2025年07月31日
求人AIによる要約
半導体業界における最前線で、SiGe・Siphoデバイス開発エンジニアとしてのキャリアを築きませんか？あなたには、RFデバイス（主にSiGe BiCMOS）やSi Photonicsのデバイス開発をリードし、革新を支えるチャンスがあります。このポジションでは、最先端のウエーハ製作プロセスに関与し、幅広いプロジェクトでのインテグレーション業務を担当いただきます。技術力を活かし、業界の枠を超える挑戦があなたを待っています。
【おすすめポイント】
・最先端のRFデバイスおよびSi Photonicsの開発に携われる
・ウエーハ製作プロセスを通じて広範な技術経験を積む
・挑戦的なプロジェクトで、スキルを向上させる機会が豊富
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OUTLINE
RF（高周波）IC設計
デバイス開発エンジニア
光電子デバイス
RFデバイス（主にSiGe BiCMOS）並びにSi Photonicsのデバイス開発、もしくは、それら開発ウエーハの作製を取り仕切るインテグレーションを行っていただきます。
・半導体製造の知識、経験
富山県魚津市東山800（最寄駅：あいの風とやま鉄道 魚津駅よりタクシー15分）
給与形態：月給制 or 年俸制（給与改定サイクル：年１回）
勤務時間：８：３０～１７：１５（休憩４５分）
年間休日日数：127日（2024年実績） ／ 完全週休二日(土日)、祝日、夏季、年末年始、他
確定拠出年金制度あり／食堂・売店完備／制服貸与／各種有給休暇制度多数
COMPANY
会社名：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
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