【募集職種⑤】ＲＦデバイス開発エンジニア
- RF（高周波）IC設計デバイス開発エンジニアプロセス技術研究者
- 富山県
- 年収300万円未満年収300万～500万円年収500万～700万円
- 提供元：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
- 掲載日：2025年07月31日
求人AIによる要約
RFデバイス開発エンジニアの募集です。主にRF SOI技術を用いたデバイスの開発を行い、プロセス技術、TCAD、信頼性技術、IP設計、PDK関連技術など、多岐にわたる専門分野との連携が求められます。この役割では、最先端技術を駆使しながら、革新的なRFデバイスの実現に貢献することができます。エンジニアリングスキルを発揮し、技術的な挑戦に取り組む意欲のある方を歓迎します。進化し続ける半導体業界で、あなたの力を試してみませんか？
【おすすめポイント】
・RF SOI技術を駆使した最先端デバイス開発に関与
・多様な専門分野とのコラボレーションでスキル向上
・革新的なプロジェクトを通じて業界への影響力を実感
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OUTLINE
RF（高周波）IC設計
デバイス開発エンジニア
プロセス技術研究者
RFデバイス（主にRF SOI）開発を、プロセス技術・TCAD技術・信頼性技術・IP設計・PDK関連技術などの関連部署と連携して行っていただきます。
・半導体製造の知識、経験
富山県魚津市東山800（最寄駅：あいの風とやま鉄道 魚津駅よりタクシー15分）
給与形態：月給制 or 年俸制（給与改定サイクル：年１回）
勤務時間：８：３０～１７：１５（休憩４５分）
年間休日日数：127日（2024年実績） ／ 完全週休二日(土日)、祝日、夏季、年末年始、他
確定拠出年金制度あり／食堂・売店完備／制服貸与／各種有給休暇制度多数
COMPANY
会社名：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
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