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掲載中 応募受付中 掲載日: 2025年7月22日

タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)

【募集職種④】ディスクリートパワーデバイス開発エンジニア

デバイス開発エンジニアパワーデバイスプロセス技術研究者
想定年収 年収700万~1000万円、年収500万~700万円、年収300万~500万円
勤務地 富山県

Smart Overview

ディスクリートパワーデバイス開発エンジニアとして、最先端のトレンチMOSFET技術の開発に携わるチャンスです。プロセス技術やTCAD技術、信頼性技術の専門家と連携し、次世代の半導体ソリューションを創出します。エンジニアリングのスキルを存分に活かしながら、革新と信頼性を兼ね備えた製品となるよう、自らの知識と経験を活かして挑戦できる環境です。半導体業界の最前線で共に成長し、新しい技術を世に送り出す一員になりませんか?

【おすすめポイント】
・最先端のトレンチMOSFET技術に関わるチャンス
・プロフェッショナルなチームと共に革新的なプロジェクトに取り組める
・自己成長とキャリアアップが期待できる環境

募集職種

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

プロセス技術研究者

仕事内容

ディスクリートパワーデバイス(主にトレンチMOSFET)開発を、プロセス技術・TCAD技術・信頼性技術などの 関連部署と連携して行っていただきます。

求めている人材

・半導体製造の知識、経験

勤務地

富山県砺波市東開発271(最寄駅:JR城端線 砺波駅よりタクシー10分)

給与

給与形態:月給制 or 年俸制(給与改定サイクル:年1回)

勤務時間

勤務時間:8:30~17:15(休憩45分)

休日休暇

年間休日日数:127日(2024年実績) / 完全週休二日(土日)、祝日、夏季、年末年始、他

福利厚生

確定拠出年金制度あり/食堂・売店完備/制服貸与/各種有給休暇制度多数

会社概要

タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)