【募集職種④】ディスクリートパワーデバイス開発エンジニア
- デバイス開発エンジニアパワーデバイスプロセス技術研究者
- 富山県
- 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
- 提供元：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
- 掲載日：2025年07月22日
求人AIによる要約
ディスクリートパワーデバイス開発エンジニアとして、最先端のトレンチMOSFET技術の開発に携わるチャンスです。プロセス技術やTCAD技術、信頼性技術の専門家と連携し、次世代の半導体ソリューションを創出します。エンジニアリングのスキルを存分に活かしながら、革新と信頼性を兼ね備えた製品となるよう、自らの知識と経験を活かして挑戦できる環境です。半導体業界の最前線で共に成長し、新しい技術を世に送り出す一員になりませんか？
【おすすめポイント】
・最先端のトレンチMOSFET技術に関わるチャンス
・プロフェッショナルなチームと共に革新的なプロジェクトに取り組める
・自己成長とキャリアアップが期待できる環境
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
プロセス技術研究者
ディスクリートパワーデバイス(主にトレンチMOSFET)開発を、プロセス技術・TCAD技術・信頼性技術などの 関連部署と連携して行っていただきます。
・半導体製造の知識、経験
富山県砺波市東開発271（最寄駅：JR城端線 砺波駅よりタクシー10分）
給与形態：月給制 or 年俸制（給与改定サイクル：年１回）
勤務時間：８：３０～１７：１５（休憩４５分）
年間休日日数：127日（2024年実績） ／ 完全週休二日(土日)、祝日、夏季、年末年始、他
確定拠出年金制度あり／食堂・売店完備／制服貸与／各種有給休暇制度多数
COMPANY
会社名：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
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