パワーデバイス

プロセス技術研究者

成膜装置

【富山】プロセス開発エンジニア（SiCパワーデバイス向け装置開発）プライム上場半導体製造装置メーカー

～半導体関連業界にて膜種を問わず成膜経験がある方へ／技術力が高く業界内で地位を確立する安定企業／年休125日・残業月平均25時間程度～

■概要：
SiCパワーデバイス向けの技術開発をお任せします。顧客との成膜に関する議論を行い、顧客のニーズを確認しながら成膜開発を行います。

■具体的な業務：
・SiCパワーデバイス向け装置のオペレーション、成膜評価、処理条件の検討
・成膜を分析するための測定器の運用
・成膜結果をまとめたり顧客PRするための技術資料の作成

■入社後の流れ：
入社後はプロセス設計研修（導入教育）・OJT（指導員と一連の業務研修）を受けていただき、その後当グループへジョインいただくことを想定しております。

■配属先：システム開発本部
SiCパワーデバイス開発グループ　7名
経験豊富な社員が多く、業務について分からないことがあれば質問・相談がしやすい雰囲気です。

変更の範囲：会社の定める業務

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜応募資格/応募条件＞
■必須条件：
下記いずれかのご経験がある方
・半導体関連業界にて膜種を問わず成膜経験がある方
・デバイスメーカおよび研究機関にて、SiCパワーデバイス向け開発の経験もしくは興味がある方

■歓迎条件：
・新しいことを考えることや議論することが好きな方

＜勤務地詳細＞
富山事業所
住所：富山県富山市八尾町保内2-1
勤務地最寄駅：JR線／越中八尾駅
受動喫煙対策：屋内全面禁煙
変更の範囲：本社、会社のすべての事業所

＜勤務地補足＞
・朝夕は、コミュニティバスの運行あり（越中八尾駅～会社、所要時間15分）
・自動車や自転車での通勤可（バイク/原付での通勤は不可）

＜転勤＞
有
本社、会社のすべての事業所

＜在宅勤務・リモートワーク＞
相談可

＜オンライン面接＞
可

＜予定年収＞
500万円～800万円

＜賃金形態＞
月給制
補足事項なし

＜賃金内訳＞
月額（基本給）：250,000円～400,000円

＜月給＞
250,000円～400,000円

＜昇給有無＞
有

＜残業手当＞
有

＜給与補足＞
■昇給：年1回（4月）
■賞与：年2回（6月・12月）

賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

＜労働時間区分＞
フレックスタイム制
コアタイム：10:30～15:00
フレキシブルタイム：6:00～10:30、15:00～21:30
休憩時間：45分
時間外労働有無：有

＜標準的な勤務時間帯＞
9:00～17:30
＜その他就業時間補足＞
月間の平均残業時間は、約25時間程

完全週休2日制（休日は土日祝日）
年間有給休暇2日～24日（下限日数は、入社直後の付与日数となります）
年間休日日数125日

完全週休2日制（土曜、日曜）、祝日、GW8日、夏季休暇9日、年末年始休暇9日、リフレッシュ休暇、慶弔休暇など
【年次有給休暇】24日
※入社日より付与。入社初年度は、入社月による

通勤手当、家族手当、住宅手当、寮社宅、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、厚生年金基金、退職金制度

＜各手当・制度補足＞
通勤手当：会社規定により支給
家族手当：会社規定により支給
住宅手当：適用条件あり
寮社宅：独身寮（富山事業所のみ）／適用条件あり
社会保険：補足事項なし
厚生年金基金：企業年金基金あり
退職金制度：補足事項なし

＜定年＞
60歳
再雇用65歳まで

＜育休取得実績＞
有

＜教育制度・資格補助補足＞
グローバル人財育成を目的とした「語学研修」、効果的なプレゼンのポイントを掴み実践に強くなるための「プレゼン研修」、自社キャリアアドバイザーによる自身のキャリア構築をめざす「キャリア開発研修」など

＜その他補足＞
・退職金制度
・企業型確定拠出年金
・財形貯蓄
・住宅手当/独身寮制度（適用条件有）
・団体扱い保険
・総合福利厚生サービス