電動車向けGaNパワー半導体素子のプロセス開発
- デバイス開発エンジニアパワーデバイスプロセス技術研究者
- 愛知県
- 年収300万円未満年収300万~500万円年収500万~700万円
- 提供元:株式会社デンソー
- 掲載日:2025年07月14日
求人AIによる要約
電動車向けGaNパワー半導体素子のプロセス開発に携わるチャンスです。私たちのパワーデバイス技術部は、カーボンニュートラル実現を目指し、高品質なパワー半導体を世界中に提供しています。フラットな議論が行えるオープンな組織文化の中で、車載用GaN-HEMTデバイスのプロセスフロー構築や性能向上に貢献できます。実践的なモノづくりの経験を通じてスキルアップし、地球温暖化抑制に寄与するやりがいのある仕事です。
【おすすめポイント】
・パワー半導体プロセス開発のスキル向上
・世界的な社会課題解決への貢献
・フラットなカルチャーでのオープンな議論環境
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
プロセス技術研究者
【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュートラルを実現するため魅力ある商品を企画し提供しています。その中で、私たち第1、第2開発室では、世界中に高品質なパワー半導体をお届けするべくSi, SiCパワー、GaN半導体素子の企画、開発、設計、製品化をミッションに取り組んでおり、社内外から高い期待が寄せられています。年齢や役職に関係なくフラットに議論・相談を行うオープンなカルチャーのある組織です。【】電動車用車載充電器他向け高電圧、低損失パワー半導体素子(GaNーHEMT)のプロセス開発業務具体的には、以下の業務に携わっていただきます。・車載用GaN-HEMTデバイス構造を実現するために必要なユニットプロセスの開発・上記ユニットプロセスを組み合わせてトータルプロセスフローの構築・デバイス性能向上やコスト改善するプロセスの開発【業務のやりがい・魅力】・パワー半導体プロセス開発に関するスキルアップができます。特に、机上だけでは培うことのできないモノづくりに触れ、ウェハ試作や特性評価の実施が可能です。・魅力ある素子を企画し、世界中に高品質なパワー半導体を提供することで、地球温暖化の抑制という社会課題解決に貢献しているやりがいを感じることができます。【関連リンク】https://www.denso.com/jp/ja/driven-base/tech-design/power-semiconductor/
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