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掲載中 応募受付中 掲載日: 2025年7月14日

株式会社デンソー

電動車向けSiCパワー半導体素子のプロセス開発

デバイス開発エンジニアパワーデバイス前工程プロセス開発
想定年収 年収500万~700万円、年収300万~500万円、年収300万円未満
勤務地 愛知県

Smart Overview

電動車向けSiCパワー半導体素子のプロセス開発に携わるチャンスです。私たちのパワーデバイス技術部は、カーボンニュートラルに向けた魅力的な商品を生み出すため、オープンな議論を重視するフラットな組織文化を持っています。具体的な業務では、SiC-MOSFETの企画・設計・開発を行い、最先端の技術と連携して製品の競争力向上に貢献できます。多様な専門知識を持つチームと共に、地球温暖化防止に貢献する意義を感じながら働くことができます。

【おすすめポイント】
・最先端のSiCパワー半導体技術でスキルアップ
・フラットな組織で多様な専門家と協力
・地球温暖化抑制に貢献するやりがいがある

募集職種

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

前工程プロセス開発

仕事内容

【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュートラルを実現するため魅力ある商品を企画し提供しています。その中で、私たち第1、第2開発室では、世界中に高品質なパワー半導体をお届けするべくSi, SiCパワー半導体素子の企画、開発、設計、製品化をミッションに取り組んでおり、社内外から高い期待が寄せられています。年齢や役職に関係なくフラットに議論・相談を行うオープンなカルチャーのある組織です。【】電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子(SiC-MOSFET)の企画/設計/プロセス開発業務具体的には、以下の業務に携わっていただきます。◆車載用SiC-MOSFETの製品企画/仕様検討 ・技術ニーズ調査 ・技術動向調査 ・目標プロセス仕様調整および量産加工コスト目標決定◆車載用SiC-MOSFETプロセス開発 ・プロセスシミュレーション ・プロセスフロー検討およびプロセス条件出し ・新規プロセス探索、新加工設備の検討、設備導入 ・素子試作評価、分析解析、良品率改善 ・素子検査、評価と素子開発品へのフィードバック【業務のやりがい・魅力】・SiCパワー半導体プロセス開発に関するスキルアップができます。特に、最先端の研究機関との連携や、デバイスの高性能化、高信頼化につながる新規プロセスを開発することで、直接的にデバイスの競争力向上への貢献を実感する事が可能です。・素子開発にとどまらず、パワーモジュール開発部署や量産工場と密接に連携しながら開発を進めるため、様々な専門知識を持つ方たちと一気通貫で多岐にわたる業務を経験できます。・魅力ある素子を企画し、世界中に高品質なパワー半導体を提供することで、地球温暖化の抑制という社会課題解決に貢献しているやりがいを感じることができます。【関連リンク】https://www.denso.com/jp/ja/driven-base/tech-design/power-semiconductor/

求めている人材

<MUST要件>半導体素子プロセスの開発経験または知識をお持ちの方 ※パワー半導体の経験有無は問いません<WANT要件>以下いずれかのご経験をお持ちの方・パワー半導体に関する知識をお持ちの方 ・半導体素子プロセス、設備の開発経験(目安:3年以上)をお持ちの方・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダーの経験

勤務地

愛知 >広瀬製作所(愛知県豊田市)

会社概要

株式会社デンソー