パワーデバイス

プロセス技術研究者

前工程プロセス開発

【茨城／ひたちなか】ウエハプロセス技術エンジニア（リソグラフィー）～東証プライム上場～＃55554

【半導体工学の知見・経験を活かしウエハプロセス技術エンジニアとして活躍いただける方募集します！】
～東証プライム上場の半導体メーカー／年休125日・年次有給休暇23日付与・フレックスタイム制・家賃補助制度など充実の福利厚生～

■職務詳細：
◇担当技術分野
リソグラフィー技術
◇対象デバイス
150mm～300mm製品全般（マイコン、Mixed-Signal、パワーデバイス）
◇担当業務
・SiCデバイス向けリソグラフィ技術開発（装置/材料/プロセス条件評価等）
・Siデバイス向けリソグラフィ技術開発（装置/材料/プロセス条件評価等）
・生産技術開発（生産性改善・歩留まり向上・コストダウン及びBCM推進等）

■採用背景：
自動運転技術の進展、産業機器のインテリジェンス化、社会インフラの堅牢性の重要化、そしてIoTを実現する次世代通信技術の浸透により、半導体製品の適用・応用範囲は広範に及び、当社製品に対する需要は急速に高まっています。その中で、プロセス加工技術部門は、ルネサスエレクトロニクスのドライエッチング技術やリソグラフィ技術の開発部門として、SiC/Siパワーデバイス・MixedSignalそしてMCUの新デバイス向け加工プロセス開発及びルネサス生産工場向け生産技術開発（生産性改善・歩留まり向上・コストダウン及びBCM推進）をミッションとする部門です。現在当社では、パワーMOS、IGBT製品などの事業拡大を行っており、その中でも特に需要が急速に高まっているSiCを含むパワーデバイス向けの設備選定導入・プロセス開発及び既存生産ラインの生産能力向上に従事する、リソグラフィー技術者を募集します。

■働き方：
・年間休日は125日あり(2023年度)コアタイムのないフレックス制度など、ライフスタイルに合わせた働き方ができます。
・また年次有給休暇、在宅勤務制度等の日常生活のサポートに加え、将来の備えとしての資産形成を補助する、財形貯蓄、持ち株会制度も整っています。

■当社について：
「人々の暮らしを楽（ラク）にする」技術で持続可能な将来を築いていく日本を代表する半導体企業です。自動運転やIoTなど多様な分野において、先進的な製品やソリューションを提供しています。

＜最終学歴＞大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

＜応募資格/応募条件＞
■必須条件：
・リソグラフィプロセスの業務経験を有する方

■歓迎条件：
・リソグラフィープロセス使用設備の導入／評価経験を有する方
・リソグラフィープロセス開発／改善経験を有する方
・4年制大学または大学院にて工学、化学、または物理学等を修了しており、半導体工学の知識を有していること

＜語学補足＞
英語　ビジネス会話ができる（TOEIC(R)700点程度）が望ましいですが、必須ではありません

＜最終学歴＞大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

＜応募資格/応募条件＞
■必須条件：
・リソグラフィプロセスの業務経験を有する方

■歓迎条件：
・リソグラフィープロセス使用設備の導入／評価経験を有する方
・リソグラフィープロセス開発／改善経験を有する方
・4年制大学または大学院にて工学、化学、または物理学等を修了しており、半導体工学の知識を有していること

＜語学補足＞
英語　ビジネス会話ができる（TOEIC(R)700点程度）が望ましいですが、必須ではありません

＜勤務地詳細＞
那珂事業所
住所：茨城県ひたちなか市堀口751
勤務地最寄駅：JR常磐線
受動喫煙対策：屋内全面禁煙

＜転勤＞
当面なし
転勤は当面想定していません。

＜オンライン面接＞
可

＜予定年収＞
670万円～830万円

＜賃金形態＞
月給制

＜賃金内訳＞
月額（基本給）：291,900円～389,201円

＜月給＞
291,900円～389,201円

＜昇給有無＞
有

＜残業手当＞
有

＜給与補足＞
※管理職の場合、残業手当の支給なし。
※経験・年齢等により管理監督者採用となり、残業代の支給はありません。
■昇給：年1回
■賞与：年2回

賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

＜労働時間区分＞
フレックスタイム制（フルフレックス）
休憩時間：60分
時間外労働有無：有

＜標準的な勤務時間帯＞
8:30～17:15