デバイス開発エンジニア

光電子デバイス

材料開発エンジニア

仕事内容


当社の電子ビーム生成装置における周辺技術開発をお任せします。システムのハードウェア開発や、各種評価環境の設計・構築などを行っていただきます。
具体的には

電子ビーム生成装置の周辺技術開発をお任せします。装置間協調動作や高速信号処理に関するシステムのハードウェア開発や、アプリケーション研究開発のための各種評価環境の設計・構築などをお願いします。電子ビーム源のための半導体材料、表面処理、超高真空、レーザー光源、加速高電圧などが関わる技術になります。





製品化に関わる計画の立案から、設計、組立。調整、立ち上げ・評価、応用・実装に至るまでの一連のプロセスに携わることが可能です。知識や経験豊富なエンジニアだけでなく、大学・公的研究機関での研究経験者まで多数在籍しているため、要素技術が無い方、浅い方でも、手厚いサポート体制であなたの開発を支えます。

【応募条件】

アナログ回路の設計、評価の経験

【歓迎】

高速ADC/DACを含むアナログ回路設計の経験
FPGAを含む回路基板設計の経験
PCI Express等の高速インターフェイス回路設計の経験
デジタル回路設計（RTL）の経験

少しでも興味をお持ちの方は、この機会にぜひ奮ってご応募ください。
あなたのこれまでのご経験を、当社でぜひ発揮していただければ幸いです。

開発拠点／愛知県名古屋市千種区不老町 名古屋大学内

マイナビ転職の勤務地区分では…
愛知県

月給333,334円～500,000円※経験や能力に基づいて優遇いたします。※試用期間6ヵ月（待遇変動なし）※固定残業代（70,880円～106,319円／月35時間分）を含む。超過分は別途支給。



初年度の年収




初年度年収は、入社後向こう一年間に支給される予定の金額で、基本給に諸手当と前年度の標準的な査定ベースの賞与額を加えたものです。
諸手当には、採用対象者に一律支給される予定の固定手当、平均残業時間を基準とした想定される時間外勤務手当を含みます。歩合給やインセンティブは含みません。
初年度年収は、入社される方のスキルや経験によって必ずしも一定ではありませんので、検索した年収額と実際に入社した際の金額は異なる場合があります。




400万円～600万円

フレックスタイム制（標準労働時間1日8時間／休憩60分）※コアタイム／10:00～15:00※フレキシブルタイム／5:00～10:00、15:00～22:00※1日の標準労働時間帯／9:00～18:00※残業月20時間程度

年間休日120日以上週休2日制（土日）祝日年末年始休暇

社会保険完備福利厚生制度「WELBOX」加入服装自由