車載用半導体の素子-システム一貫シミュレーションモデル開発
- ASIC/SoC設計デバイス開発エンジニアパワーデバイス
- 愛知県
- 年収500万～700万円年収700万～1000万円年収1000万円以上
- 提供元：株式会社デンソー
- 掲載日：2025年06月16日
求人AIによる要約
自動車産業に革命をもたらす車載用半導体の設計技術開発に携わりませんか？このポジションでは、SiCおよびGaN素子のTCAD/SPICEモデリングを通じて新しい設計環境を構築し、設計チームとの連携を深めながら、耐量破壊メカニズムの解明や素子の電気特性評価に取り組みます。また、素子-システム一貫でのシミュレーションを実現し、パワエレ設計に必要なデータ処理に関するスキルも磨けます。最新技術を手に入れ、半導体業界でのキャリアアップを目指せる絶好のチャンスです。
【おすすめポイント】
・最先端のSiC、GaN素子を用いた設計技術開発に関与
・設計チームと密に連携し、実務スキルを高める機会
・パワエレ設計に必要な専門知識を深められる環境
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OUTLINE
ASIC/SoC設計
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
【】車載用半導体(SiC、GaN)における素子の設計技術開発(TCAD,SPICE)、及びパワエレ設計環境開発具体的には以下の業務に携わっていただきます。◆素子モデル開発・SiC、GaNにおけるTCAD/SPICEモデリングによる基本設計環境開発・上記開発にあたり設計部署とのヒアリング及び折衝・モデリングに必要な電気特性評価◆車載用信頼性の設計環境開発・耐量破壊等のメカニズム明確化と設計環境の開発・素子欠陥、キャリアライフタイムの明確化及びモデリング◆パワエレ設計環境開発(素子-システム一貫Sim.）・TCAD-SPICEを繋いだモデリング・特性ばらつき等の統計データ処理・パワエレ設計に必要な素子及び周辺回路のモデリング
※経験・年齢を考慮して決定致します。
＜直近の初任給実績＞
大卒・高専卒（専攻科）／月給25万4000円
修士了／月給27万6000円
博士卒／月給31万0000円
＜年収例＞
29歳（大卒入社7年目）640万円（残業代含まず）
32歳（大卒入社10年目）740万円（残業代含まず）
35歳（大卒入社13年目）850万円（残業代含まず）
40歳（大卒入社18年目）1250万円※管理職の場合
コアタイム10時10分から14時25分（東京エリア 10時30分から14時45分、製作所 10時10分から15時25分）
※管理職については労働基準法第41条2号により労働基準法上の労働時間、休憩、休日に関する適用を受けないものとします。
GW・夏季・年末年始各10日程
年間休日約120日
年次有給休暇、特別休暇など
個別制度/住宅資金貸付、財形貯蓄、持ち株制度など
施設/保養所、研修センター、各種文化・体育施設など
COMPANY
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