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掲載日:
2025年5月28日
住友電工デバイス・イノベーション
光デバイス製造技術 【横浜/山梨】化合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術
想定年収
年収700万~1000万円、年収500万~700万円、年収300万~500万円
勤務地
山梨県、神奈川県
Smart Overview
【おすすめポイント】
・化合物半導体技術に特化した専門的な経験を積める
・高品質な製品を生み出すプロセスに深く関わる
・業界の最前線での挑戦を通じてキャリアアップできる
募集職種
ウェハ材料
プロセス技術研究者
成膜装置
仕事内容
・化合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術担当
・新製品、新規プロセス技術などの研究・開発業務は対象外
求めている人材
・募集職種に対して3年以上の実務経験があり、かつ、直近1年間以上の他業務等での空白期間がないこと。
・MOVPE装置を使用した化合物半導体エピタキシャル成長技術および関連する半導体プロセス技術に関するスキルをお持ちの方。
<語学力>
TOEIC 600点以上、または同等の英会話能力のある方歓迎。
勤務地
給与
想定年収:450万円~800万円
月給 :28万円~40万円
勤務時間
8:30~17:15
(フレックスタイム制あり 標準労働時間:7時間45分)
※コアタイムは11:00から14:00
休日休暇
年間休日120日以上、完全週休2日制、年末年始休暇
年次有給休暇20日(翌年繰越は最高20日)
積立休暇
リフレッシュ休暇、5日連続有給休暇、特別休暇(慶弔休暇など)
計画有休制度(個人計画有休5日)、半日有給休暇、時間単位有給休暇ほか
※初年度は入社月により異なります。
福利厚生
企業年金制度、持株会(住友電気工業株式会社)、財形貯蓄制度(一般、住宅、年金)