設計職（IGBT、SiC-MOS、高圧IC半導体デバイス、回路、プロセス設計）
- デバイス開発エンジニアパワーデバイス前工程プロセス開発
- 東京都
- 年収300万円未満年収300万～500万円年収500万～700万円
- 提供元：ミネベアパワーデバイス
- 掲載日：2025年05月28日
求人AIによる要約
半導体業界における設計職では、IGBTやSiC-MOS、高圧IC半導体デバイスの開発に挑むチャンスがあります。回路設計やプロセス設計においては、最新の技術を駆使し、パワーモジュールの構造やシミュレーションを行い、高性能なチップデバイスを形にします。お客様への提案資料作成や打合せも重要な業務となり、顧客ニーズを的確に捉える力が求められます。成長著しいこの分野で、自身の技術力を磨き、業界の最前線で活躍するチャンスを手に入れましょう。
【おすすめポイント】
・最新技術を駆使した半導体デバイスの設計
・顧客との直接的なコミュニケーションを通じた提案力の向上
・成長性の高い半導体業界でのキャリアアップの機会
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
前工程プロセス開発
設計職（IGBT、SiC-MOS、高圧IC半導体デバイス、回路、プロセス設計）
パワーMOS、アナログIC、ディスクリート製品設計
チップデバイス、プロセス、回路設計、マスクデータ、チップテスト仕様作成
パワーモジュール構造、プロセス設計、シミュレーション
ターゲットスペック、顧客PR、アプリケーション資料作成、顧客打合せ
<必須となる資格・スキル・経験>
IGBT、SiC-MOS、高圧IC、ディスクリート製品設計経験
デバイス、プロセス設計、回路設計、量産展開経験
シミュレーションを用いたデバイス、モジュールの構造とプロセス設計経験者（電界、拡散、応力、熱解析）
ゲートドライバ設計経験者
顧客向け資料作成、顧客交渉経験者
TOEIC500点以上が望ましい
IGBT、SiC-MOS、高圧IC、ディスクリート製品設計経験
デバイス、プロセス設計、回路設計、量産展開経験
シミュレーションを用いたデバイス、モジュールの構造とプロセス設計経験者（電界、拡散、応力、熱解析）
ゲートドライバ設計経験者
顧客向け資料作成、顧客交渉経験者
TOEIC500点以上が望ましい
東京都港区
COMPANY
会社名：ミネベアパワーデバイス
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