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掲載中 応募受付中 掲載日: 2025年5月28日

タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)

【募集職種②】SiGe・Siphoデバイス開発エンジニア

RF(高周波)IC設計デバイス開発エンジニア光電子デバイス
想定年収 年収500万~700万円、年収300万~500万円、年収300万円未満
勤務地 富山県

Smart Overview

SiGe・Siphoデバイス開発エンジニアとして、最先端のRFデバイス(主にSiGe BiCMOS)やSi Photonicsの開発を主導し、デバイス開発用ウエーハのインテグレーションもお任せします。革新的な技術を駆使し、新しいデバイスを生み出すやりがいのある職場で、専門知識とスキルを最大限に活かせる機会を提供します。業界の最前線で、製品の未来を形作る重要な役割を担ってみませんか?

【おすすめポイント】
・最先端技術を用いたデバイス開発に携われる
・専門知識を活かし、革新的な製品を生み出す機会
・業界の最前線でキャリアを構築できる環境

募集職種

RF(高周波)IC設計

デバイス開発エンジニア

光電子デバイス

仕事内容

RFデバイス(主にSiGe BiCMOS)並びにSi Photonicsのデバイス開発、もしくは、それら開発ウエーハの作製を取り仕切るインテグレーションを行っていただきます。

求めている人材

・半導体製造の知識、経験

勤務地

富山県魚津市東山800(最寄駅:あいの風とやま鉄道 魚津駅よりタクシー15分)

給与

給与形態:月給制 or 年俸制(給与改定サイクル:年1回)

勤務時間

勤務時間:8:30~17:15(休憩45分)

休日休暇

年間休日日数:127日(2024年実績) / 完全週休二日(土日)、祝日、夏季、年末年始、他

福利厚生

確定拠出年金制度あり/食堂・売店完備/制服貸与/各種有給休暇制度多数

会社概要

タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)