【募集職種②】SiGe・Siphoデバイス開発エンジニア
- RF（高周波）IC設計デバイス開発エンジニア光電子デバイス
- 富山県
- 年収300万円未満年収300万～500万円年収500万～700万円
- 提供元：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
- 掲載日：2025年05月28日
求人AIによる要約
SiGe・Siphoデバイス開発エンジニアとして、最先端のRFデバイス（主にSiGe BiCMOS）やSi Photonicsの開発を主導し、デバイス開発用ウエーハのインテグレーションもお任せします。革新的な技術を駆使し、新しいデバイスを生み出すやりがいのある職場で、専門知識とスキルを最大限に活かせる機会を提供します。業界の最前線で、製品の未来を形作る重要な役割を担ってみませんか？
【おすすめポイント】
・最先端技術を用いたデバイス開発に携われる
・専門知識を活かし、革新的な製品を生み出す機会
・業界の最前線でキャリアを構築できる環境
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OUTLINE
RF（高周波）IC設計
デバイス開発エンジニア
光電子デバイス
RFデバイス（主にSiGe BiCMOS）並びにSi Photonicsのデバイス開発、もしくは、それら開発ウエーハの作製を取り仕切るインテグレーションを行っていただきます。
・半導体製造の知識、経験
富山県魚津市東山800（最寄駅：あいの風とやま鉄道 魚津駅よりタクシー15分）
給与形態：月給制 or 年俸制（給与改定サイクル：年１回）
勤務時間：８：３０～１７：１５（休憩４５分）
年間休日日数：127日（2024年実績） ／ 完全週休二日(土日)、祝日、夏季、年末年始、他
確定拠出年金制度あり／食堂・売店完備／制服貸与／各種有給休暇制度多数
COMPANY
会社名：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
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