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掲載中 応募受付中 掲載日: 2025年5月28日

タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)

【募集職種①】RFデバイス開発エンジニア

RF(高周波)IC設計デバイス開発エンジニアプロセス技術研究者
想定年収 年収700万~1000万円、年収500万~700万円、年収300万~500万円
勤務地 富山県

Smart Overview

RFデバイス開発エンジニアの募集です。主にRF SOIデバイスの開発において、プロセス技術やTCAD技術を駆使し、信頼性向上に寄与する新しいアイデアを形にしていく役割を担います。また、IP設計やPDK関連技術の専門部署と協力し、プロジェクトを推進します。半導体技術の最前線で、革新的な製品を共に開発するチャンスです。エンジニアとしてのスキルを磨き、業界の未来を創造する力を発揮しましょう。

【おすすめポイント】
・RF SOIデバイスの最前線での開発に関与
・多種多様なプロセス技術や設計手法を学べる環境
・専門性の高いチームとのコラボレーションによる成長機会

募集職種

RF(高周波)IC設計

デバイス開発エンジニア

プロセス技術研究者

仕事内容

RFデバイス(主にRF SOI)開発を、プロセス技術・TCAD技術・信頼性技術・IP設計・PDK関連技術などの関連部署と連携して行っていただきます。

求めている人材

・半導体製造の知識、経験

勤務地

富山県魚津市東山800(最寄駅:あいの風とやま鉄道 魚津駅よりタクシー15分)

給与

給与形態:月給制 or 年俸制(給与改定サイクル:年1回)

勤務時間

勤務時間:8:30~17:15(休憩45分)

休日休暇

年間休日日数:127日(2024年実績) / 完全週休二日(土日)、祝日、夏季、年末年始、他

福利厚生

確定拠出年金制度あり/食堂・売店完備/制服貸与/各種有給休暇制度多数

会社概要

タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)