【募集職種①】ＲＦデバイス開発エンジニア
- RF（高周波）IC設計デバイス開発エンジニアプロセス技術研究者
- 富山県
- 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
- 提供元：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
- 掲載日：2025年05月28日
求人AIによる要約
RFデバイス開発エンジニアの募集です。主にRF SOIデバイスの開発において、プロセス技術やTCAD技術を駆使し、信頼性向上に寄与する新しいアイデアを形にしていく役割を担います。また、IP設計やPDK関連技術の専門部署と協力し、プロジェクトを推進します。半導体技術の最前線で、革新的な製品を共に開発するチャンスです。エンジニアとしてのスキルを磨き、業界の未来を創造する力を発揮しましょう。
【おすすめポイント】
・RF SOIデバイスの最前線での開発に関与
・多種多様なプロセス技術や設計手法を学べる環境
・専門性の高いチームとのコラボレーションによる成長機会
この求人に応募する
※提供元サイトへリンクします
OUTLINE
RF（高周波）IC設計
デバイス開発エンジニア
プロセス技術研究者
RFデバイス（主にRF SOI）開発を、プロセス技術・TCAD技術・信頼性技術・IP設計・PDK関連技術などの関連部署と連携して行っていただきます。
・半導体製造の知識、経験
富山県魚津市東山800（最寄駅：あいの風とやま鉄道 魚津駅よりタクシー15分）
給与形態：月給制 or 年俸制（給与改定サイクル：年１回）
勤務時間：８：３０～１７：１５（休憩４５分）
年間休日日数：127日（2024年実績） ／ 完全週休二日(土日)、祝日、夏季、年末年始、他
確定拠出年金制度あり／食堂・売店完備／制服貸与／各種有給休暇制度多数
COMPANY
会社名：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
※提供元サイトへリンクします
当サイトの情報は、情報提供元から自動取得した内容を掲載しており、一部情報が最新でない可能性があります。最新の内容については、直接情報提供元でご確認ください。