パワー半導体向けのSiCウエハ生産技術開発
- ウェハ材料パワーデバイス生産技術エンジニア
- 愛知県
- 年収500万~700万円年収700万~1000万円年収1000万円以上
- 提供元:株式会社デンソー
- 掲載日:2025年05月28日
求人AIによる要約
新たに設立されたSiCプロジェクト室では、パワー半導体向けSiCウエハの生産技術開発を推進中です。この部署では、開発から製造プロセスまでの幅広い業務に携わり、社会課題解決に貢献するやりがいを感じられます。要素技術開発や工程設計を経験でき、専門家とのコラボレーションを通じて知識・スキルを深めることが可能です。グローバルな視点で事業をリードし、自身の専門性を高めるチャンスです。
【おすすめポイント】
・多岐にわたる業務を経験でき、やりがいを実感。
・半導体分野の専門知識を深められる機会あり。
・グローバルな事業展開で、キャリアの幅が広がる。
※提供元サイトへリンクします
OUTLINE
ウェハ材料
パワーデバイス
生産技術エンジニア
【組織ミッション】SiCプロジェクト室は24年4月に新たに発足した部署であり、パワー半導体SiCに関わる生産技術開発を進めています。開発から製造まで、様々な経験を積まれた方が集約した組織です。【】パワー半導体SiCウエハ加工に関わる生産技術開発・パワー半導体関連のベンチマーク調査分析・SiCに関わる生産技術(スライス加工、研削、CMP)の開発・実験・評価・工程設計・SiCに関わる設備の設置・生産準備※開発の状況に応じて、将来的には本社(愛知県刈谷市)・先端研究所(愛知県日進市)・大安製作所(三重県いなべ市)への転勤の可能性もございます。【業務のやりがい・魅力】✓ 要素技術開発から製品、設備、工程設計までの一気通貫で多岐な業務を経験できます✓ 自分の作ったものが顧客・社会課題解決に貢献しているというやりがいが感じられます✓ システム、素子設計部署との連携を通じて、半導体分野の幅広い知識、技術のスキルアップができます✓ 国内外の拠点を活用したグローバルな事業を牽引することができます✓ 社内外の専門家との連携を通じて、自身の専門性を向上させることができます下記URLもぜひご確認ください。■DRIVEN BASEhttps://www.denso.com/jp/ja/driven-base/tech-design/power-semiconductor/■半導体戦略説明会資料https://www.denso.com/jp/ja/-/media/global/about-us/investors/business-briefing/20220601_semicon_material_jp.pdf■「半導体の供給確保計画」が経済産業省より認定https://www.denso.com/jp/ja/news/newsroom/2024/20241129-01/
※経験・年齢を考慮して決定致します。
<直近の初任給実績>
大卒・高専卒(専攻科)/月給25万4000円
修士了/月給27万6000円
博士卒/月給31万0000円
<年収例>
29歳(大卒入社7年目)640万円(残業代含まず)
32歳(大卒入社10年目)740万円(残業代含まず)
35歳(大卒入社13年目)850万円(残業代含まず)
40歳(大卒入社18年目)1250万円※管理職の場合
コアタイム10時10分から14時25分(東京エリア 10時30分から14時45分、製作所 10時10分から15時25分)
※管理職については労働基準法第41条2号により労働基準法上の労働時間、休憩、休日に関する適用を受けないものとします。
GW・夏季・年末年始各10日程
年間休日約120日
年次有給休暇、特別休暇など
個別制度/住宅資金貸付、財形貯蓄、持ち株制度など
施設/保養所、研修センター、各種文化・体育施設など
COMPANY
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