D3【第二新卒/兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア（GaN/SiC）
- パワーデバイス前工程プロセス開発材料開発エンジニア
- 兵庫県
- 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
- 提供元：東芝デバイス＆ストレージ
- 掲載日：2025年05月27日
求人AIによる要約
化合物半導体のプロセス開発エンジニアを募集中！特にGaNパワーデバイス事業では、製品とプロセス、材料の開発をリードし、早期の事業立ち上げや拡大に貢献できる方を求めています。また、次世代のSiCデバイス（トレンチMOSFETやSJ-MOS）におけるデバイス設計やプロセスインテグレーション、ウェーハ製造のエピタキシャル成長プロセスの開発にも携わるチャンスがあります。業界の最前線で、革新を共に実現する仲間をお待ちしています。
【おすすめポイント】
・GaNパワーデバイスとSiCデバイスの先端技術に関わるチャンス
・製品開発からプロセスインテグレーションまで多岐にわたる経験が得られる
・成長著しい化合物半導体業界でキャリアを築ける機会
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OUTLINE
パワーデバイス
前工程プロセス開発
材料開発エンジニア
その中でGaNパワーデバイス事業では、早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引する人材を求めています。
また、次世代SiCデバイス(トレンチMOSFET,SJ-MOS等)のデバイス設計、プロセスインテグレーション、ユニットプロセス開発、SiCデバイスの大口径化に適したウェーハ製造(エピタキシャル成長)プロセス・装置の開発を担当する人材を募集しております。
【必須】
・学生時代の専攻が材料工学、電気電子、化学などものづくりに取り組まれた方
・学生時代の専攻が材料工学、電気電子、化学などものづくりに取り組まれた方
671-1595 兵庫県揖保郡太子町鵤３００ 東芝デバイス＆ストレージ株式会社 姫路半導体工場
年収 450万円 〜 1200万円
８：００～１６：４５（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日
寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり
COMPANY
会社名：東芝デバイス＆ストレージ
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