D2【第二新卒/兵庫】化合物半導体の製品開発エンジニア（SiC）
- デバイス開発エンジニアパワーデバイス前工程プロセス開発
- 兵庫県
- 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
- 提供元：東芝デバイス＆ストレージ
- 掲載日：2025年05月27日
求人AIによる要約
化合物半導体における製品開発エンジニアのポジションです。シリコンカーバイド(SiC)を用いたデバイス設計やTCADシミュレーションによる設計検証を担当します。さらに、パワーモジュールのパッケージ開発から試作、性能評価・解析を行い、量産立ち上げに至るまでのプロセスに関与します。この役割は、新しい技術に挑戦し、実際の製品として市場に出すやりがいのある仕事です。高い技術力とコミュニケーション能力を磨き、次世代の半導体産業を支える一員として成長できる環境が整っています。
【おすすめポイント】
・シリコンカーバイドを用いた先進的な技術開発に関与
・デバイス設計から量産立ち上げまでの多岐にわたる業務経験
・将来の半導体産業を直接支える充実したキャリアパス
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
前工程プロセス開発
・デバイス設計・シミュレーション(TCAD)
・パワーモジュール パッケージ開発
・試作・性能評価・解析
・量産立上業務
【必須】
・学生時代の専攻が半導体に関する方
・学生時代の専攻が半導体に関する方
671-1595 兵庫県揖保郡太子町鵤３００ 東芝デバイス＆ストレージ株式会社 姫路半導体工場
年収 450万円 〜 1200万円
８：００～１６：４５（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日
寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり
COMPANY
会社名：東芝デバイス＆ストレージ
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