D3【神奈川】化合物半導体の製品開発エンジニア（GaNパワー）
- デバイス開発エンジニアパワーデバイス前工程プロセス開発
- 神奈川県
- 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
- 提供元：東芝デバイス＆ストレージ
- 掲載日：2025年05月27日
求人AIによる要約
化合物半導体の最前線で、GaNパワー技術の研究開発に挑戦するチャンスです。株式会社東芝の研究開発センターと連携し、デバイス開発やプロセスインテグレーションを通じて、革新的な製品を生み出すエンジニアを求めています。最先端技術に携わることで、あなたの専門性をさらに深め、業界の発展に寄与することができます。チャレンジ精神旺盛な方のご応募をお待ちしています。
【おすすめポイント】
・GaNパワー半導体という先進技術に挑戦できる
・株式会社東芝の研究開発センターとの連携チームでの経験
・デバイス開発とプロセスインテグレーションの幅広い知識を習得可能
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
前工程プロセス開発
弊社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しております。
株式会社東芝の研究開発センターや、各拠点、各部署と連携しながら、半導体エンジニアとして最先端の技術領域に取り組まれたい方に是非ご応募をいただけますと幸いです。
川崎：デバイス開発とプロセスインテグレーション
姫路：エピタキシャルプロセス、プロセス開発
【尚可】
・GaNに関する知見
・GaNに関する知見
212-8583 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地
年収 450万円 〜 1200万円
８：３０～１７：１５（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日
寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり
COMPANY
会社名：東芝デバイス＆ストレージ
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