テスト開発エンジニア

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー）に関する、
・デバイス設計・シミュレーション(TCAD)
・試作・性能評価・解析
・量産立上業務
　対象デバイスは次のとおり
　　①IGBT、ダイオード、パワーモジュール（兵庫県揖保郡太子町／石川県能美市）
　　②アイソレーションデバイス・半導体リレー（福岡県豊前市）
　　③パワーMOSFET（石川県能美市）
　　④小信号デバイス。特にMOSFET（兵庫県揖保郡太子町）　
　　⑤小信号デバイス。特に汎用小型IC（神奈川県川崎市）　※（）内は想定勤務地

【尚可】
・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。
・TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方。

923-1293  石川県能美市岩内町１－１ 東芝デバイス＆ストレージ株式会社　加賀分室

年収 450万円 〜 1200万円

８：１５～１７：００（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり

年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日

寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり