デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

材料開発エンジニア

仕事内容


高効率なエコデバイス実現のため、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、ファウンドリーとのデバイス試作をお任せします。
具体的には

SiCパワー半導体デバイスの量産化が現在の主な取り組みテーマであり新技術や新製品の市場投入に向けパワー半導体デバイスの設計・シミュレーション開発をお任せします。各Wide Band Gap材料による特徴ある新機能性デバイスの設計・開発を行います。【雇い入れ直後】上記業務【変更の範囲】会社の定める業務




配属先の編成
大手半導体メーカー┗TI┗On Semiconductor┗日立┗三菱電機┗ルネサス┗ローム など上記企業で20～30年以上の経験を持つ先輩社員なども在籍しており良い刺激が得られる職場環境です。

【必須】

大学・高専・大学院卒 以上


以下のいずれかのご経験をお持ちの方が対象となります。
パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）の
　チップ設計・開発の経験

ファウンドリーでのデバイス試作経験
デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用経験
パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験


【あれば歓迎するスキル】※必須ではありません。
英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方

本社勤務京都府京都市西京区御陵大原1-39京大桂ベンチャープラザ南館 2203・2208号室※転勤はありません。【雇い入れ直後】上記事業所【変更の範囲】変更なし

マイナビ転職の勤務地区分では…
京都府

【年俸制500万円～】月額 416,666円～ + 諸手当※年俸を1/12した額を毎月支給※経験・能力・適性・前職給与などを考慮のうえ、　当社規定により優遇いたします※試用期間3ヶ月あり（待遇に変動はありません）※退職金制度はありません



初年度の年収




初年度年収は、入社後向こう一年間に支給される予定の金額で、基本給に諸手当と前年度の標準的な査定ベースの賞与額を加えたものです。
諸手当には、採用対象者に一律支給される予定の固定手当、平均残業時間を基準とした想定される時間外勤務手当を含みます。歩合給やインセンティブは含みません。
初年度年収は、入社される方のスキルや経験によって必ずしも一定ではありませんので、検索した年収額と実際に入社した際の金額は異なる場合があります。




600万円～1000万円

専門業務型裁量労働制＜標準勤務時間帯＞9:00～18:00＜労働時間区分＞みなし労働時間/日：8時間00分休憩時間：60分時間外勤務：有

年間休日120日完全週休2日制（土日祝休み）年間有給休暇：10日～20日 （下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります）年末年始休暇

各種社会保険完備転職に伴う引越し費用負担（規定あり）受動喫煙対策：屋内全面禁煙