【募集職種⑤】半導体プロセス要素エンジニア
- 前工程プロセス開発後工程プロセス開発成膜装置
- 富山県
- 年収300万~500万円年収500万~700万円年収700万~1000万円
- 提供元:タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
- 掲載日:2025年04月20日
求人AIによる要約
半導体プロセス要素エンジニアとして、45nmから1μmの幅広い技術開発に携わりませんか?あなたにはリソグラフィ、ドライエッチ、ウエットエッチ、炉技術、LPCVD、PECVD、PVD、めっき、CMPなどの分野で革新的なプロセスを開発するチャンスがあります。最先端の技術を用いて、半導体産業の未来を共に創造し、専門性を高めることができる業務です。自らの技術力を活かし、多様なプロジェクトで経験を積むことができます。
【おすすめポイント】
・多様なプロセス技術に関与し、スキルアップが期待できる。
・最先端の半導体技術に触れ、業界の最前線で活躍できる。
・チームと共に革新を追求し、実践的な経験を積むことができる。
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OUTLINE
前工程プロセス開発
後工程プロセス開発
成膜装置
45nm~1umまで幅広い技術開発を実施。リソグラフィ、ドライエッチ、ウエットエッチ、炉・RTP、炉・注入、LPCVD、PECVD、PVD、めっき、CMPのいずれかの技術開発を担当いただきます。
富山県魚津市東山800 または 富山県砺波市東開発271
給与形態:月給制 or 年俸制(給与改定サイクル:年1回)
勤務時間:8:30~17:15(休憩45分)
年間休日日数:127日(2024年実績) / 完全週休二日(土日)、祝日、夏季、年末年始、他
確定拠出年金制度あり/食堂・売店完備/制服貸与/各種有給休暇制度多数
COMPANY
会社名:タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
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