【募集職種④】ディスクリートパワーデバイス開発エンジニア
- デバイス開発エンジニアパワーデバイスプロセス技術研究者
- 富山県
- 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
- 提供元：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
- 掲載日：2025年04月20日
求人AIによる要約
ディスクリートパワーデバイス開発エンジニアとして、最先端のトレンチMOSFET開発に携わるチャンスがあります。プロセス技術、TCAD技術、信頼性技術など、幅広い関連部門との連携を通じて、革新的なデバイスを形にする役割を担います。自身の専門知識を活かし、業界の最前線で技術力を磨くことができる環境です。新しい挑戦に意欲的なあなたの応募をお待ちしています。
【おすすめポイント】
・最先端のトレンチMOSFET技術に挑戦できる
・多部門との連携で幅広い経験を得られる
・技術力を高める機会が豊富にある
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
プロセス技術研究者
ディスクリートパワーデバイス(主にトレンチMOSFET)開発を、プロセス技術・TCAD技術・信頼性技術などの 関連部署と連携して行っていただきます。
・半導体製造の知識、経験
富山県砺波市東開発271（最寄駅：JR城端線 砺波駅よりタクシー10分）
給与形態：月給制 or 年俸制（給与改定サイクル：年１回）
勤務時間：８：３０～１７：１５（休憩４５分）
年間休日日数：127日（2024年実績） ／ 完全週休二日(土日)、祝日、夏季、年末年始、他
確定拠出年金制度あり／食堂・売店完備／制服貸与／各種有給休暇制度多数
COMPANY
会社名：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
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