ウェハ材料

パワーデバイス

材料開発エンジニア

パワーデバイス材料研究、デバイス開発・SiCウェハガス成長法の研究開発・SiCエピタキシャル成長の研究開発・横型GaN-HEMTのデバイス開発・縦型GaN-MOSFETのデバイス開発・α酸化ガリウム半導体研究開発・β酸化ガリウム半導体研究開発・ダイヤモンド半導体研究開発

＜MUST要件＞・パワー半導体材料またはデバイスに関する知見を有すること（大学卒業レベル）・半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験（3年以上）を有すること＜WANT要件＞・第一原理計算、T-CADシミュレーション経験・エピタキシャル成長に関するプロセス・装置開発経験（5年以上）・ワイドバンドギャップ半導体の研究・開発経験（5年以上）

愛知 ＞先端研究所（愛知県日進市）

月給25万4000円以上
※経験・年齢を考慮して決定致します。

＜直近の初任給実績＞
大卒・高専卒（専攻科）／月給25万4000円
修士了／月給27万6000円
博士卒／月給31万0000円

＜年収例＞
29歳（大卒入社7年目）640万円（残業代含まず）
32歳（大卒入社10年目）740万円（残業代含まず）
35歳（大卒入社13年目）850万円（残業代含まず）
40歳（大卒入社18年目）1250万円※管理職の場合

フレックスタイム制/標準労働時間8h
コアタイム10時10分から14時25分（東京エリア 10時30分から14時45分、製作所 10時10分から15時25分）
※管理職については労働基準法第41条2号により労働基準法上の労働時間、休憩、休日に関する適用を受けないものとします。

休暇週休2日制（土曜日・日曜日）
GW・夏季・年末年始各10日程
年間休日約120日
年次有給休暇、特別休暇など

選択型福利厚生制度
個別制度/住宅資金貸付、財形貯蓄、持ち株制度など
施設/保養所、研修センター、各種文化・体育施設など