デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

前工程プロセス開発

【組織ミッション】パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュートラルを実現するため魅力ある商品を企画し提供しています。その中で、私たち第１、第２開発室では、世界中に高品質なパワー半導体をお届けするべくSi, SiCパワー、GaN半導体素子の企画、開発、設計、製品化をミッションに取り組んでおり、社内外から高い期待が寄せられています。年齢や役職に関係なくフラットに議論・相談を行うオープンなカルチャーのある組織です。【】電動車用車載充電器他向け高電圧、低損失パワー半導体素子（GaNーHEMT）のプロセス開発業務具体的には、以下の業務に携わっていただきます。・車載用GaN-HEMTデバイス構造を実現するために必要なユニットプロセスの開発・上記ユニットプロセスを組み合わせてトータルプロセスフローの構築・デバイス性能向上やコスト改善するプロセスの開発【業務のやりがい・魅力】・パワー半導体プロセス開発に関するスキルアップができます。特に、机上だけでは培うことのできないモノづくりに触れ、ウェハ試作や特性評価の実施が可能です。・魅力ある素子を企画し、世界中に高品質なパワー半導体を提供することで、地球温暖化の抑制という社会課題解決に貢献しているやりがいを感じることができます。【関連リンク】https://www.denso.com/jp/ja/driven-base/tech-design/power-semiconductor/

＜MUST要件＞半導体材料またはそのプロセス技術の研究・開発経験をお持ちの方　※パワー半導体の経験有無は問いません＜WANT要件＞以下いずれかのご経験をお持ちの方・パワー半導体に関する知識をお持ちの方・半導体プロセスインテグレーションの知識をお持ちの方・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダーの経験

愛知 ＞広瀬製作所（愛知県豊田市）

月給25万4000円以上
※経験・年齢を考慮して決定致します。

＜直近の初任給実績＞
大卒・高専卒（専攻科）／月給25万4000円
修士了／月給27万6000円
博士卒／月給31万0000円

＜年収例＞
29歳（大卒入社7年目）640万円（残業代含まず）
32歳（大卒入社10年目）740万円（残業代含まず）
35歳（大卒入社13年目）850万円（残業代含まず）
40歳（大卒入社18年目）1250万円※管理職の場合

フレックスタイム制/標準労働時間8h
コアタイム10時10分から14時25分（東京エリア 10時30分から14時45分、製作所 10時10分から15時25分）
※管理職については労働基準法第41条2号により労働基準法上の労働時間、休憩、休日に関する適用を受けないものとします。

休暇週休2日制（土曜日・日曜日）
GW・夏季・年末年始各10日程
年間休日約120日
年次有給休暇、特別休暇など

選択型福利厚生制度
個別制度/住宅資金貸付、財形貯蓄、持ち株制度など
施設/保養所、研修センター、各種文化・体育施設など