デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

技術営業・FAE

【】ワイドバンドギャップ(WBG)半導体(SiC、GaN)の商材を用いたパワーエレクトロニクスハードウェアの開発・設計および素子仕様策定具体的には以下の業務に携わっていただきます。◆WBG半導体評価・ハードスイッチング特性、ソフトスイッチング時の損失評価環境構築・上記に必要な周辺回路・基板設計、関連のシミュレーション◆パワーエレクトロニクスハード設計・GaN-HEMTなどのWBGデバイスを用いたアプリ向けリファレンスデザインボード設計デンソーで開発している内製デバイスをお客様に提案するためのリファレンスデザインを担当していただきます・上記設計に伴う回路、熱、EMCシミュレーション◆素子仕様策定・リファレンスデザインの結果を受けて、WGB素子仕様にフィードバックする【業務のやりがい・魅力】✓ カーボンニュートラルに必須な重要デバイスであるWBG半導体(SiC、GaN)を使いこなすパワーエレクトロニクス関連技術（電気回路、半導体デバイス、EMC、実装、放熱設計、各種シミュレーション技術）が身につきます。✓ 内製デバイスを用いたリファレンスデザインを通じて、様々なパワーエレクトロニクス回路開発に携わることができます。✓ リファレンスデザインで得た知見から、WBG半導体のデバイスおよびパッケージの仕様にFBし、次世代のデバイス開発に携わることができます。

＜MUST要件＞・パワーエレクトロニクスの基礎知識（修士卒業レベル）を有し、かつ以下のいずれかのご経験をお持ちの方・電力変換機（コンバータorインバータ）の開発・設計経験＜WANT要件＞・アナログ回路（IC）の開発経験・チームリーダー経験（数名程度）

愛知 ＞本社（愛知県刈谷市）

月給25万4000円以上
※経験・年齢を考慮して決定致します。

＜直近の初任給実績＞
大卒・高専卒（専攻科）／月給25万4000円
修士了／月給27万6000円
博士卒／月給31万0000円

＜年収例＞
29歳（大卒入社7年目）640万円（残業代含まず）
32歳（大卒入社10年目）740万円（残業代含まず）
35歳（大卒入社13年目）850万円（残業代含まず）
40歳（大卒入社18年目）1250万円※管理職の場合

フレックスタイム制/標準労働時間8h
コアタイム10時10分から14時25分（東京エリア 10時30分から14時45分、製作所 10時10分から15時25分）
※管理職については労働基準法第41条2号により労働基準法上の労働時間、休憩、休日に関する適用を受けないものとします。

休暇週休2日制（土曜日・日曜日）
GW・夏季・年末年始各10日程
年間休日約120日
年次有給休暇、特別休暇など

選択型福利厚生制度
個別制度/住宅資金貸付、財形貯蓄、持ち株制度など
施設/保養所、研修センター、各種文化・体育施設など