[つくば]次世代パワー半導体の研究員◎世界初の技術/創業2年半で約67億円を調達
- デバイス開発エンジニアプロセス技術研究者材料開発エンジニア
- 茨城県
- 年収500万~700万円年収700万~1000万円
- 提供元:リクナビNEXT
- 掲載日:2025年03月15日
求人AIによる要約
次世代の「究極の半導体」と言われるダイヤモンド半導体の研究に携わるチャンスです。あなたには、プロセス改善や量産化技術の研究開発、問題点の特定・解析、革新的な技術の提案と実装をお任せします。高温や高放射線環境にも強く、宇宙や次世代携帯基地局での応用が期待されるダイヤモンド半導体の社会実装を共に目指しましょう。世界有数の研究環境で、専門性を高めるチャンスが待っています。
【おすすめポイント】
・ダイヤモンド半導体の世界初の社会実装に挑戦
・高温・高放射線耐性を活かした先端技術を学べる
・研究者として成長できる世界有数の研究環境
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
プロセス技術研究者
材料開発エンジニア
シリコン/SiC/GaNに代わる「究極の半導体」と言われるダイヤモンド半導体の世界初の社会実装に向けて,以下業務をお任せします!■ダイヤモンド半導体のプロセスの改善や量産化技術の研究開発 ■現行プロセスに対する問題点の特定・解析 ■革新的な技術・手法の提案・実装 ■実験計画の策定/実験実施/データ分析・評価【ダイヤモンド半導体とは】◆高温環境/高放射線環境への耐性が高く,高出力高周波素子としてのポテンシャルがあり,シリコン/SiC/GaNに代わる「究極の半導体」と言われています。◆耐熱性/耐放射線性が極めて高く,宇宙領域/次世代携帯基地局等での活用が期待されています。
[配属先情報]
研究員20名(北海道/筑波)/バックオフィス5名 ★ダイヤモンド半導体の研究員数で世界有数の規模を誇り,研究者としての成長環境があります!
[学歴]高専 大学 大学院
[転勤]当面無
[賃金形態]年俸制 [分割回数]12回
[フレックスタイム制]無[コアタイム]無
[年間休日]120日 内訳:土日祝
[有給休暇]入社半年経過後10日~
[寮社宅]無
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