車載用半導体の素子-システム一貫シミュレーションモデル開発
- ASIC/SoC設計デバイス開発エンジニアパワーデバイス
- 愛知県
- 年収500万～700万円年収700万～1000万円年収1000万円以上
- 提供元：株式会社デンソー
- 掲載日：2025年03月14日
求人AIによる要約
車載用半導体技術の最前線で、業界の未来を形作る仕事にあなたも参加しませんか？当ポジションでは、SiCおよびGaN素子のTCAD/SPICEを駆使したモデリングを通じて基本設計環境を構築し、設計部署との連携を図ります。また、耐量破壊メカニズムの解明や、素子欠陥・キャリアライフタイムのモデル化を行い、さらにパワーエレクトロニクス設計環境の開発に取り組みます。最新技術に触れ、高度な設計環境を実現するチャンスです。
【おすすめポイント】
・最新のSiCおよびGaN技術に関わる貴重な経験が得られます。
・設計チームとの密な連携を通じてスキルを磨くことができます。
・業界の信頼性向上に貢献し、実践的な知識を身につけることができます。
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OUTLINE
ASIC/SoC設計
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
【】車載用半導体(SiC、GaN)における素子の設計技術開発(TCAD,SPICE)、及びパワエレ設計環境開発具体的には以下の業務に携わっていただきます。◆素子モデル開発・SiC、GaNにおけるTCAD/SPICEモデリングによる基本設計環境開発・上記開発にあたり設計部署とのヒアリング及び折衝・モデリングに必要な電気特性評価◆車載用信頼性の設計環境開発・耐量破壊等のメカニズム明確化と設計環境の開発・素子欠陥、キャリアライフタイムの明確化及びモデリング◆パワエレ設計環境開発(素子-システム一貫Sim.）・TCAD-SPICEを繋いだモデリング・特性ばらつき等の統計データ処理・パワエレ設計に必要な素子及び周辺回路のモデリング
※経験・年齢を考慮して決定致します。
＜直近の初任給実績＞
大卒・高専卒（専攻科）／月給25万4000円
修士了／月給27万6000円
博士卒／月給31万0000円
＜年収例＞
29歳（大卒入社7年目）640万円（残業代含まず）
32歳（大卒入社10年目）740万円（残業代含まず）
35歳（大卒入社13年目）850万円（残業代含まず）
40歳（大卒入社18年目）1250万円※管理職の場合
コアタイム10時10分から14時25分（東京エリア 10時30分から14時45分、製作所 10時10分から15時25分）
※管理職については労働基準法第41条2号により労働基準法上の労働時間、休憩、休日に関する適用を受けないものとします。
個別制度/住宅資金貸付、財形貯蓄、持ち株制度など
施設/保養所、研修センター、各種文化・体育施設など
GW・夏季・年末年始各10日程
年間休日約120日
年次有給休暇、特別休暇など
COMPANY
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