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掲載中 応募受付中 掲載日: 2025年3月6日

株式会社村田製作所

【横浜】4G/5G RFモジュールの開発

RF(高周波)IC設計その他デバイス開発エンジニア
想定年収 年収700万~1000万円、年収500万~700万円、年収300万~500万円
勤務地 神奈川県

Smart Overview

半導体業界の最前線で活躍するチャンスです!4G/5G通信機器向けRFフロントエンドモジュールの開発を手掛け、ムラタの独自技術を駆使した一体化モジュールの商品開発や技術開発に挑戦していただきます。具体的には、SAWを中心としたハイブリッドマルチプレクサの設計・開発、HFSSやADS、Cadenceなどを通じたシミュレーション業務に従事し、RFフロントエンドを構成する各種RFデバイスの評価・選定にも携わります。新技術を用いた革新的な製品を共に創り出しましょう。

【おすすめポイント】
・最先端のRF技術を活用した商品開発に携われる
・ハイブリッドマルチプレクサの設計において専門性を高められる
・業界をリードするチームと共にチャレンジできる環境

募集職種

RF(高周波)IC設計

その他

デバイス開発エンジニア

仕事内容

RFの送受信機能(PA、LNA、SW、SAWフィルタ、LCフィルタ等々)をムラタの独自技術で丸ごと詰め込んだ一体化モジュールの商品開発、技術開発を行って頂きます。【詳細】■スマホをはじめとした通信機器向けRFフロントエンドモジュールの設計、及び回路技術の開発 ■SAWを核としたハイブリッドマルチプレクサの開発 ■HFSS、ADS、Cadence等を使用したシミュレーション ■RFフロントエンドモジュールを構成する各種RFキーデバイス(SAW、半導体)の評価、選定、及び協調設計技術の開発【携わる商品】RFフロントエンドモジュール、PAモジュール、半導体モジュール、マルチプレクサー

求めている人材

【必須】■RF回路・RF部品を扱った実務経験もしくは高周波に関わる測定環境の構築、評価を行った経験【魅力】ムラタは、従来強みとしてきたSAWやLTCC基板の技術に加え、近年M&Aによりパワーアンプ・ローノイズアンプと高周波スイッチの技術を入手。RFフロントエンドのキーデバイスを全て内製化したことで、それらを自由に組み合わせた高機能RFフロントエンドモジュールを生み出せるようになりました。最先端の技術を駆使した商品開発は、通信業界に革命をもたらし、人々の生活を豊かにしていきます。


[学歴]高専 大学 大学院

勤務地

横浜事業所(神奈川県横浜市緑区)
[転勤]当面無

給与

[想定年収]460万円~900万円

[賃金形態]月給制

[月給]240000円~

勤務時間

[所定労働時間]7時間45分 [休憩]45分
[フレックスタイム制]有[コアタイム]有 11:00~15:00

休日休暇

[退職金]有[社会保険]健保 厚生年金 雇用 労災
[寮社宅]有 住宅手当有(支給条件有)/会社所有の寮・社宅は会社都合での転勤時のみ入居可

[その他制度]健康保険組合/企業年金基金/従業員持株会/職場レクリエーション/クラブ活動/契約保養施設

福利厚生

[年間休日]123日 内訳:土日祝 その他(週休2日制(会社カレンダーに準ずる))

[有給休暇]入社半年経過後10日~最高23日 入社時に6日~20日付与

会社概要

株式会社村田製作所