【募集職種①】ＲＦデバイス開発エンジニア
- RF（高周波）IC設計デバイス開発エンジニアプロセス技術研究者
- 富山県
- 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
- 提供元：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
- 掲載日：2025年03月03日
求人AIによる要約
RFデバイス開発エンジニアとして、最先端のRF SOIデバイスの開発に携わる機会があります。プロセス技術やTCAD技術、信頼性技術、IP設計、PDK関連技術など、多様な専門家と連携しながら、革新的なデバイスの創造に挑戦していただきます。技術力を駆使し、業界の最前線で活躍することができる環境で、あなたのスキルを次のレベルへと引き上げませんか？
【おすすめポイント】
・最先端技術を活用したRF SOIデバイスの開発
・多様な専門家との密接なコラボレーション
・業界の革新を支えるプロフェッショナルな挑戦
この求人に応募する
※提供元サイトへリンクします
OUTLINE
RF（高周波）IC設計
デバイス開発エンジニア
プロセス技術研究者
RFデバイス（主にRF SOI）開発を、プロセス技術・TCAD技術・信頼性技術・IP設計・PDK関連技術などの関連部署と連携して行っていただきます。
・半導体製造の知識、経験
富山県魚津市東山800（最寄駅：あいの風とやま鉄道 魚津駅よりタクシー15分）
給与形態：月給制 or 年俸制（給与改定サイクル：年１回）
勤務時間：８：３０～１７：１５（休憩４５分）
年間休日日数：127日（2024年実績） ／ 完全週休二日(土日)、祝日、夏季、年末年始、他
確定拠出年金制度あり／食堂・売店完備／制服貸与／各種有給休暇制度多数
COMPANY
会社名：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
※提供元サイトへリンクします
当サイトの情報は、情報提供元から自動取得した内容を掲載しており、一部情報が最新でない可能性があります。最新の内容については、直接情報提供元でご確認ください。