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掲載中 応募受付中 掲載日: 2025年3月3日

タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)

【募集職種①】RFデバイス開発エンジニア

RF(高周波)IC設計デバイス開発エンジニアプロセス技術研究者
想定年収 年収700万~1000万円、年収500万~700万円、年収300万~500万円
勤務地 富山県

Smart Overview

RFデバイス開発エンジニアとして、最先端のRF SOIデバイスの開発に携わる機会があります。プロセス技術やTCAD技術、信頼性技術、IP設計、PDK関連技術など、多様な専門家と連携しながら、革新的なデバイスの創造に挑戦していただきます。技術力を駆使し、業界の最前線で活躍することができる環境で、あなたのスキルを次のレベルへと引き上げませんか?

【おすすめポイント】
・最先端技術を活用したRF SOIデバイスの開発
・多様な専門家との密接なコラボレーション
・業界の革新を支えるプロフェッショナルな挑戦

募集職種

RF(高周波)IC設計

デバイス開発エンジニア

プロセス技術研究者

仕事内容

RFデバイス(主にRF SOI)開発を、プロセス技術・TCAD技術・信頼性技術・IP設計・PDK関連技術などの関連部署と連携して行っていただきます。

求めている人材

・半導体製造の知識、経験

勤務地

富山県魚津市東山800(最寄駅:あいの風とやま鉄道 魚津駅よりタクシー15分)

給与

給与形態:月給制 or 年俸制(給与改定サイクル:年1回)

勤務時間

勤務時間:8:30~17:15(休憩45分)

休日休暇

年間休日日数:127日(2024年実績) / 完全週休二日(土日)、祝日、夏季、年末年始、他

福利厚生

確定拠出年金制度あり/食堂・売店完備/制服貸与/各種有給休暇制度多数

会社概要

タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)