D3【第二新卒/兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア（GaN/SiC）
- デバイス開発エンジニアパワーデバイス前工程プロセス開発
- 兵庫県
- 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
- 提供元：東芝デバイス＆ストレージ
- 掲載日：2025年03月03日
求人AIによる要約
次世代の半導体技術を牽引するプロセス開発エンジニアを募集しています。特にGaNパワーデバイス事業の早期立ち上げと拡大に向けて、製品・プロセス・材料開発を通じてチームをリードする意欲的な人材を求めています。また、次世代SiCデバイスにおけるデバイス設計やプロセスインテグレーション、さらにエピタキシャル成長を用いた大口径ウェーハ製造に挑む方を歓迎します。新しい技術に触れ、業界の最前線で貢献したい方にとって絶好の機会です。
【おすすめポイント】
・GaN/SiCデバイスの最前線での開発に関与
・新技術を用いたプロセスの立ち上げと拡大
・革新的なデバイス設計と製造プロセスへの挑戦
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
前工程プロセス開発
その中でGaNパワーデバイス事業では、早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引する人材を求めています。
また、次世代SiCデバイス(トレンチMOSFET,SJ-MOS等)のデバイス設計、プロセスインテグレーション、ユニットプロセス開発、SiCデバイスの大口径化に適したウェーハ製造(エピタキシャル成長)プロセス・装置の開発を担当する人材を募集しております。
【必須】
・学生時代の専攻が材料工学、電気電子、化学などものづくりに取り組まれた方
・学生時代の専攻が材料工学、電気電子、化学などものづくりに取り組まれた方
671-1595 兵庫県揖保郡太子町鵤３００ 東芝デバイス＆ストレージ株式会社 姫路半導体工場
年収 450万円 〜 1000万円
８：００～１６：４５（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日
寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり
COMPANY
会社名：東芝デバイス＆ストレージ
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