D3【兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア（GaN/SiC）
- デバイス開発エンジニアパワーデバイス前工程プロセス開発
- 兵庫県
- 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
- 提供元：東芝デバイス＆ストレージ
- 掲載日：2025年03月03日
求人AIによる要約
半導体業界の最前線で活躍するチャンス！当社では、化合物半導体のプロセス開発エンジニアを募集しています。特にGaNパワーデバイス事業において、製品やプロセス、材料の開発を推進する人材を求めています。また、次世代SiCデバイスのデバイス設計やプロセスインテグレーション、大口径ウェーハ製造に必要な技術の開発に携わることができます。最先端技術に触れながら、自分のキャリアを築きませんか？
【おすすめポイント】
・GaN/SiCデバイスの開発に携わり、高度な技術力を培うチャンス
・次世代半導体技術の実装に貢献するやりがいのあるポジション
・プロセス開発のエキスパートとしてのスキルを磨ける環境
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
前工程プロセス開発
その中でGaNパワーデバイス事業では、早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引する人材を求めています。
また、次世代SiCデバイス(トレンチMOSFET,SJ-MOS等)のデバイス設計、プロセスインテグレーション、ユニットプロセス開発、SiCデバイスの大口径化に適したウェーハ製造(エピタキシャル成長)プロセス・装置の開発を担当する人材を募集しております。
【必須】
・半導体デバイスのプロセスインテグレーション、ユニットプロセス関連または、デバイス開発の実務経験をお持ちの方
・半導体デバイスのプロセスインテグレーション、ユニットプロセス関連または、デバイス開発の実務経験をお持ちの方
671-1595 兵庫県揖保郡太子町鵤３００ 東芝デバイス＆ストレージ株式会社 姫路半導体工場
年収 450万円 〜 1000万円
８：００～１６：４５（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日
寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり
COMPANY
会社名：東芝デバイス＆ストレージ
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