P1【第二新卒/石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーションエンジニア
- デバイス開発エンジニアパワーデバイス前工程プロセス開発
- 石川県
- 年収300万~500万円年収500万~700万円年収700万~1000万円
- 提供元:東芝デバイス&ストレージ
- 掲載日:2025年03月03日
求人AIによる要約
半導体業界でのキャリアを築くチャンス!当社は、パワー半導体の新たな拠点として、200mmウエハー対応のクリーンルームに300mmウエハー製造ラインを導入しています。これに伴い、低耐圧MOSFET及びIGBTの生産能力を拡大し、プロセスインテグレーション技術者を求めています。成長するチームの一員として最前線での技術革新に携わり、自身の専門性を高める絶好の機会です。
【おすすめポイント】
・300mmウエハー対応の先進製造ラインでの勤務
・低耐圧MOSFET、IGBT関連プロジェクトに参加
・成長を続ける半導体業界でのキャリアアップの可能性
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
前工程プロセス開発
当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回、同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強するに伴いプロセスインテグレーション技術者を募集します。
1プロダクト2~3年ベースで開発を行っており、週一度の製品定例ミーティングを行い、1週間でPDCAを回しています。
パワー半導体は開発の規模感が大きすぎないからこそ、製品開発~量産立ち上げまで見渡すことができ、エンジニアとして確実にキャリアアップできる環境が整っています。
パワー半導体は開発の規模感が大きすぎないからこそ、製品開発~量産立ち上げまで見渡すことができ、エンジニアとして確実にキャリアアップできる環境が整っています。
923-1293 石川県能美市岩内町1-1 東芝デバイス&ストレージ株式会社 加賀分室
年収 450万円 〜 1000万円
8:15~17:00(休憩1時間、所定労働時間7時間45分)
※平均残業時間:30h程度
※会社/事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
※平均残業時間:30h程度
※会社/事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
年間休日127日(2023年度)、週休2日制(土・日)、祝日、年末年始、特別休日
寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり
COMPANY
会社名:東芝デバイス&ストレージ
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