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2025年5月9日更新

住友電工デバイス・イノベーション

プロセスエンジニア 【山梨】化合物半導体電子デバイスウェハプロセス開発者及び技術者

  • 前工程プロセス開発後工程プロセス開発材料開発エンジニア
  • 山梨県
  • 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
  • 提供元：住友電工デバイス・イノベーション
  • 掲載日：2025年03月03日
求人AIによる要約

化合物半導体の最前線で活躍するチャンス！新たなプロセスエンジニアとして、GaN HEMTのウエハプロセス開発や、電極材料・層間絶縁膜・平坦化技術の先進的な開発に取り組むことができます。さらに、放熱・実装技術の精密なプロセス開発に挑戦し、基板研削やチップ分離加工といった重要な加工技術を駆使して、高品質な受動素子の形成を実現しましょう。半導体業界でのキャリアに関心がある方にとって、技術力を高める絶好の機会です！

【おすすめポイント】
・最先端のGaN HEMT技術に携われる
・多層配線技術の開発でスキルアップ
・放熱・実装技術を通じた高品質な製品づくり

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OUTLINE

前工程プロセス開発

後工程プロセス開発

材料開発エンジニア

①GaN HEMTのウエハプロセス開発
②多層配線（電極材料、層間絶縁膜、平坦化）技術開発
③放熱・実装に関するプロセス開発（基板研削、ビアやチップ分離加工、裏面金属形成等の加工技術）
④受動素子（キャパシタ、インダクタ、抵抗）形成プロセス開発

＜必須要件＞
以下のいずれかの経験をお持ちの方
　 ・各種半導体ウェーハプロセス研究・開発経験者
　 ・プロセス装置の選定/導入/立上げ経験者
　 ・ステッパー、ドライエッチャー、CVDなどを用いたウエハプロセス実務経験者
　 ・高周波増幅器(GHzオーダ)のRF測定スキル・電磁界解析による設計スキル

＜語学力＞
　TOEIC 500点以上または同等の英会話能力を保有。

山梨事業所

■給与：経験、能力等を考慮し、当社規定により支給いたします。
　想定年収：450万円～800万円
　月給　　：28万円～40万円

■勤務時間
　8：30～17：15
　（フレックスタイム制あり 標準労働時間：7時間45分）
　※コアタイムは11:00から14:00

■休日・休暇
　年間休日120日以上、完全週休2日制、年末年始休暇
　年次有給休暇20日（翌年繰越は最高20日）
　積立休暇
　リフレッシュ休暇、5日連続有給休暇、特別休暇（慶弔休暇など）
　計画有休制度（個人計画有休5日）、半日有給休暇、時間単位有給休暇ほか
　※初年度は入社月により異なります。

■福利厚生
　企業年金制度、持株会(住友電気工業株式会社)、財形貯蓄制度(一般、住宅、年金)

COMPANY

会社名：住友電工デバイス・イノベーション
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